| الفئة: | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات المعدلات الثنائيات المفردة |
|---|---|
| حالة المنتج: | نشط |
| الحالي - عكس التسرب @ Vr: | 2 ميكرو أمبير عند 50 فولت |
| نوع التثبيت: | جبل السطح |
| الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: | 975 مللي فولت @ 2 أ |
| الفئة: | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات المعدلات الثنائيات المفردة |
|---|---|
| حالة المنتج: | نشط |
| الحالي - عكس التسرب @ Vr: | 1 ميكرو أمبير عند 400 فولت |
| نوع التثبيت: | من خلال الثقب |
| الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: | 1.5 فولت @ 9 أمبير |
| الفئة: | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات المعدلات الثنائيات المفردة |
|---|---|
| حالة المنتج: | نشط |
| الحالي - عكس التسرب @ Vr: | 10 مللي أمبير @ 15 فولت |
| نوع التثبيت: | جبل السطح |
| الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: | 220 مللي فولت @ 1 أ |
| الفئة: | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات المعدلات الثنائيات المفردة |
|---|---|
| حالة المنتج: | نشط |
| الحالي - عكس التسرب @ Vr: | 500 غ @ 400 فولت |
| نوع التثبيت: | من خلال الثقب |
| الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: | 1.3 فولت @ 3 أ |
| الفئة: | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات المعدلات الثنائيات المفردة |
|---|---|
| حالة المنتج: | نشط |
| الحالي - عكس التسرب @ Vr: | 100 μA @ 30 فولت |
| نوع التثبيت: | جبل السطح |
| الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: | 600 مللي فولت @ 1 أ |
| الفئة: | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الترانزستورات FETs، MOSFETs، FETs المفردة، MOSFETs |
|---|---|
| ميزة FET: | - |
| حالة المنتج: | نشط |
| نوع التثبيت: | من خلال الثقب |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4.5 فولت @ 1mA |
| الفئة: | الدوائر المتكاملة الذاكرة الذاكرة |
|---|---|
| حالة المنتج: | نشط |
| نوع التثبيت: | من خلال الثقب |
| الحزمة: | أنبوب |
| السلسلة: | - |
| الفئة: | الدوائر المتكاملة الذاكرة الذاكرة |
|---|---|
| حالة المنتج: | نشط |
| نوع التثبيت: | جبل السطح |
| الحزمة: | أنبوب |
| السلسلة: | - |
| الفئة: | الدوائر المتكاملة الذاكرة الذاكرة |
|---|---|
| حالة المنتج: | نشط |
| نوع التثبيت: | من خلال الثقب |
| الحزمة: | أنبوب |
| السلسلة: | - |
| الفئة: | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات المعدلات الثنائيات المفردة |
|---|---|
| حالة المنتج: | نشط |
| الحالي - عكس التسرب @ Vr: | 100 ميكرو أمبير عند 1000 فولت |
| نوع التثبيت: | من خلال الثقب |
| الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: | 3 فولت @ 15 A |
| الفئة: | الدوائر المتكاملة الذاكرة الذاكرة |
|---|---|
| حالة المنتج: | نشط |
| نوع التثبيت: | جبل السطح |
| الحزمة: | أنبوب |
| السلسلة: | - |
| الفئة: | الدوائر المتكاملة الذاكرة الذاكرة |
|---|---|
| حالة المنتج: | نشط |
| نوع التثبيت: | من خلال الثقب |
| الحزمة: | أنبوب |
| السلسلة: | - |
| الفئة: | الدوائر المتكاملة الذاكرة الذاكرة |
|---|---|
| حالة المنتج: | نشط |
| نوع التثبيت: | جبل السطح |
| الحزمة: | أنبوب |
| السلسلة: | - |
| الفئة: | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات المعدلات الثنائيات المفردة |
|---|---|
| حالة المنتج: | نشط |
| الحالي - عكس التسرب @ Vr: | 500 غ @ 400 فولت |
| نوع التثبيت: | من خلال الثقب |
| الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: | 1.3 فولت @ 3 أ |
| الفئة: | الدوائر المتكاملة الذاكرة الذاكرة |
|---|---|
| حالة المنتج: | نشط |
| نوع التثبيت: | من خلال الثقب |
| الحزمة: | أنبوب |
| السلسلة: | - |
