| الفئة: | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات المعدلات الثنائيات المفردة |
|---|---|
| حالة المنتج: | نشط |
| الحالي - عكس التسرب @ Vr: | 200 غ @ 50 فولت |
| نوع التثبيت: | جبل السطح |
| الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: | 650 مللي فولت @ 15 مللي أمبير |
| الفئة: | الدوائر المتكاملة الذاكرة الذاكرة |
|---|---|
| حالة المنتج: | نشط |
| نوع التثبيت: | جبل السطح |
| الحزمة: | الشريط والفكرة (TR) |
| السلسلة: | SST39 MPF ™ |
| الفئة: | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات المعدلات الثنائيات المفردة |
|---|---|
| حالة المنتج: | نشط |
| الحالي - عكس التسرب @ Vr: | 10 ميكرو أمبير عند 50 فولت |
| نوع التثبيت: | جبل السطح |
| الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: | 1.5 فولت @ 37.7 A |
| الفئة: | الدوائر المتكاملة الذاكرة الذاكرة |
|---|---|
| حجم الذاكرة: | 1 ميجابت |
| حالة المنتج: | نشط |
| نوع التثبيت: | جبل السطح |
| الحزمة: | الشريط والفكرة (TR) |
| الفئة: | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات المعدلات الثنائيات المفردة |
|---|---|
| حالة المنتج: | نشط |
| الحالي - عكس التسرب @ Vr: | 1 μA @ 50 فولت |
| نوع التثبيت: | جبل السطح |
| الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: | 875 مللي فولت @ 1 أ |
| الفئة: | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات المعدلات الثنائيات المفردة |
|---|---|
| حالة المنتج: | نشط |
| الحالي - عكس التسرب @ Vr: | 200 ميكرو أمبير عند 20 فولت |
| نوع التثبيت: | جبل السطح |
| الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: | 470 mV @ 5 A |
| الفئة: | الدوائر المتكاملة الذاكرة الذاكرة |
|---|---|
| حجم الذاكرة: | 1 ميجابت |
| حالة المنتج: | نشط |
| نوع التثبيت: | جبل السطح |
| الحزمة: | الشريط والفكرة (TR) |
| الفئة: | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات المعدلات الثنائيات المفردة |
|---|---|
| حالة المنتج: | نشط |
| الحالي - عكس التسرب @ Vr: | 20 μA @ 400 فولت |
| نوع التثبيت: | من خلال الثقب |
| الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: | 1.25 فولت @ 3A |
| الفئة: | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات المعدلات الثنائيات المفردة |
|---|---|
| حالة المنتج: | نشط |
| الحالي - عكس التسرب @ Vr: | 150 غ @ 16 فولت |
| نوع التثبيت: | جبل السطح |
| الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: | 1 فولت @ 35 مللي أمبير |
| الفئة: | الدوائر المتكاملة الذاكرة الذاكرة |
|---|---|
| حجم الذاكرة: | 64 ميجابت |
| حالة المنتج: | نشط |
| نوع التثبيت: | جبل السطح |
| الحزمة: | الشريط والفكرة (TR) |
| الفئة: | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات المعدلات الثنائيات المفردة |
|---|---|
| حالة المنتج: | نشط |
| الحالي - عكس التسرب @ Vr: | 200 غ @ 100 فولت |
| نوع التثبيت: | جبل السطح |
| الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: | 1 فولت @ 15 مللي أمبير |
| الفئة: | الدوائر المتكاملة الذاكرة الذاكرة |
|---|---|
| حالة المنتج: | نشط |
| نوع التثبيت: | جبل السطح |
| الحزمة: | الشريط والفكرة (TR) شريط قطع (CT) ديجي ريل® |
| السلسلة: | - |
| الفئة: | الدوائر المتكاملة الذاكرة الذاكرة |
|---|---|
| حجم الذاكرة: | 64 ميجابت |
| حالة المنتج: | نشط |
| نوع التثبيت: | جبل السطح |
| الحزمة: | الشريط والفكرة (TR) |
| الفئة: | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات المعدلات الثنائيات المفردة |
|---|---|
| حالة المنتج: | نشط |
| الحالي - عكس التسرب @ Vr: | 1 μA @ 50 فولت |
| نوع التثبيت: | جبل السطح |
| الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: | 1.5 فولت @ 9 أمبير |
| الفئة: | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات المعدلات الثنائيات المفردة |
|---|---|
| حالة المنتج: | نشط |
| الحالي - عكس التسرب @ Vr: | 200 أمبير @ 1200 فولت |
| نوع التثبيت: | من خلال الثقب |
| الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: | 1.8 فولت @ 20 أمبير |
