الدوائر المتكاملة للذاكرة MT29F1T08EEHAFJ4-3TES:A
| تكنولوجيا :: | فلاش - ناند |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | غير متطاير |
| Factory Stock :: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | - |
| تكنولوجيا :: | فلاش - ناند |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | غير متطاير |
| Factory Stock :: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | - |
| تكنولوجيا :: | فلاش - ولا |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | غير متطاير |
| Factory Stock :: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | 85 نانو |
| تكنولوجيا :: | فلاش - ولا |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | غير متطاير |
| Factory Stock :: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | 110ns |
| تكنولوجيا :: | SDRAM - موبايل LPDDR4 |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | متقلب |
| Factory Stock :: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | - |
| تكنولوجيا :: | فلاش - ولا |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | غير متطاير |
| Factory Stock :: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | 100ns |
| تكنولوجيا :: | فلاش - ولا |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | غير متطاير |
| Factory Stock :: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | 85 نانو |
| تكنولوجيا :: | SDRAM - موبايل LPDDR4 |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | متقلب |
| Factory Stock :: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | - |
| تكنولوجيا :: | فلاش - ولا |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | غير متطاير |
| Factory Stock :: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | 100ns |
| تكنولوجيا :: | فلاش - ولا |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | غير متطاير |
| Factory Stock :: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | 85 نانو |
| تكنولوجيا :: | SDRAM - موبايل LPDDR4 |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | متقلب |
| Factory Stock :: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | - |
| تكنولوجيا :: | فلاش - ولا |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | غير متطاير |
| Factory Stock :: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | 95ns |
| تكنولوجيا :: | فلاش - ولا |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | غير متطاير |
| Factory Stock :: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | 85 نانو |
| تكنولوجيا :: | درهم |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | متقلب |
| Factory Stock :: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | - |
| تكنولوجيا :: | فلاش - ولا |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | غير متطاير |
| Factory Stock :: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | 95ns |
| تكنولوجيا :: | فلاش - ولا |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | غير متطاير |
| Factory Stock :: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | 15 مللي ثانية، 3 مللي ثانية |
