الدوائر المتكاملة IC SST38VF6404-90-5I-B3KE
الفئة: | الدوائر المتكاملة الذاكرة الذاكرة |
---|---|
حالة المنتج: | نشط |
نوع التثبيت: | جبل السطح |
الحزمة: | الصندوق |
السلسلة: | SST38 |
الفئة: | الدوائر المتكاملة الذاكرة الذاكرة |
---|---|
حالة المنتج: | نشط |
نوع التثبيت: | جبل السطح |
الحزمة: | الصندوق |
السلسلة: | SST38 |
الفئة: | الدوائر المتكاملة الذاكرة الذاكرة |
---|---|
حالة المنتج: | نشط |
نوع التثبيت: | جبل السطح |
الحزمة: | الصندوق |
السلسلة: | SST38 |
الفئة: | الدوائر المتكاملة الذاكرة الذاكرة |
---|---|
حجم الذاكرة: | 64 كيلو بايت |
حالة المنتج: | نشط |
نوع التثبيت: | جبل السطح |
الحزمة: | الشريط والفكرة (TR) |
الفئة: | الدوائر المتكاملة الذاكرة الذاكرة |
---|---|
حالة المنتج: | نشط |
نوع التثبيت: | جبل السطح |
الحزمة: | الشريط والفكرة (TR) شريط قطع (CT) ديجي ريل® |
السلسلة: | - |
الفئة: | الدوائر المتكاملة الذاكرة الذاكرة |
---|---|
حالة المنتج: | نشط |
نوع التثبيت: | جبل السطح |
الحزمة: | الشريط والفكرة (TR) شريط قطع (CT) ديجي ريل® |
السلسلة: | - |
الفئة: | الدوائر المتكاملة الذاكرة الذاكرة |
---|---|
حالة المنتج: | نشط |
نوع التثبيت: | جبل السطح |
الحزمة: | أنبوب |
السلسلة: | - |
الفئة: | الدوائر المتكاملة الذاكرة الذاكرة |
---|---|
حالة المنتج: | نشط |
نوع التثبيت: | جبل السطح |
الحزمة: | الصندوق |
السلسلة: | SST39 MPF ™ |
الفئة: | الدوائر المتكاملة الذاكرة الذاكرة |
---|---|
حالة المنتج: | نشط |
نوع التثبيت: | جبل السطح |
الحزمة: | الشريط والفكرة (TR) شريط قطع (CT) ديجي ريل® |
السلسلة: | - |
الفئة: | الدوائر المتكاملة الذاكرة الذاكرة |
---|---|
حجم الذاكرة: | 1 ميجابت |
حالة المنتج: | نشط |
نوع التثبيت: | جبل السطح |
الحزمة: | الشريط والفكرة (TR) |
الفئة: | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات المعدلات الثنائيات المفردة |
---|---|
حالة المنتج: | نشط |
الحالي - عكس التسرب @ Vr: | 200 غ @ 50 فولت |
نوع التثبيت: | جبل السطح |
الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: | 650 مللي فولت @ 15 مللي أمبير |
الفئة: | الدوائر المتكاملة الذاكرة الذاكرة |
---|---|
حالة المنتج: | نشط |
نوع التثبيت: | جبل السطح |
الحزمة: | الشريط والفكرة (TR) |
السلسلة: | SST39 MPF ™ |
الفئة: | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات المعدلات الثنائيات المفردة |
---|---|
حالة المنتج: | نشط |
الحالي - عكس التسرب @ Vr: | 10 ميكرو أمبير عند 50 فولت |
نوع التثبيت: | جبل السطح |
الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: | 1.5 فولت @ 37.7 A |
الفئة: | الدوائر المتكاملة الذاكرة الذاكرة |
---|---|
حجم الذاكرة: | 1 ميجابت |
حالة المنتج: | نشط |
نوع التثبيت: | جبل السطح |
الحزمة: | الشريط والفكرة (TR) |
الفئة: | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات المعدلات الثنائيات المفردة |
---|---|
حالة المنتج: | نشط |
الحالي - عكس التسرب @ Vr: | 1 μA @ 50 فولت |
نوع التثبيت: | جبل السطح |
الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: | 875 مللي فولت @ 1 أ |
الفئة: | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات المعدلات الثنائيات المفردة |
---|---|
حالة المنتج: | نشط |
الحالي - عكس التسرب @ Vr: | 200 ميكرو أمبير عند 20 فولت |
نوع التثبيت: | جبل السطح |
الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: | 470 mV @ 5 A |