الدوائر المتكاملة IC AT28C010-12JU
| الفئة: | الدوائر المتكاملة الذاكرة الذاكرة |
|---|---|
| حالة المنتج: | نشط |
| نوع التثبيت: | جبل السطح |
| الحزمة: | أنبوب |
| السلسلة: | - |
| الفئة: | الدوائر المتكاملة الذاكرة الذاكرة |
|---|---|
| حالة المنتج: | نشط |
| نوع التثبيت: | جبل السطح |
| الحزمة: | أنبوب |
| السلسلة: | - |
| الفئة: | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات زينر الثنائيات زينر واحدة |
|---|---|
| حالة المنتج: | نشط |
| الحالي - عكس التسرب @ Vr: | 1 ميكرو أمبير @ 42.6 فولت |
| الجهد - زينر (نوم) (Vz): | 56 فولت |
| الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: | 1.2 فولت @ 200 مللي أمبير |
| الفئة: | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات زينر الثنائيات زينر واحدة |
|---|---|
| حالة المنتج: | نشط |
| الحالي - عكس التسرب @ Vr: | 1 ميكرو أمبير @ 35.8 فولت |
| الجهد - زينر (نوم) (Vz): | 47 خامسا |
| الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: | 1.2 فولت @ 200 مللي أمبير |
| الفئة: | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات زينر الثنائيات زينر واحدة |
|---|---|
| حالة المنتج: | نشط |
| الحالي - عكس التسرب @ Vr: | 1 ميكرو أمبير @ 27.4 فولت |
| الجهد - زينر (نوم) (Vz): | 36 فولت |
| الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: | 1.2 فولت @ 200 مللي أمبير |
| الفئة: | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات زينر الثنائيات زينر واحدة |
|---|---|
| حالة المنتج: | نشط |
| الحالي - عكس التسرب @ Vr: | 1 ميكرو أمبير @ 22.8 فولت |
| الجهد - زينر (نوم) (Vz): | 30 فولت |
| الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: | 1.2 فولت @ 200 مللي أمبير |
| الفئة: | الدوائر المتكاملة الذاكرة الذاكرة |
|---|---|
| حالة المنتج: | نشط |
| نوع التثبيت: | من خلال الثقب |
| الحزمة: | أنبوب |
| السلسلة: | - |
| الفئة: | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات زينر الثنائيات زينر واحدة |
|---|---|
| حالة المنتج: | نشط |
| الحالي - عكس التسرب @ Vr: | 1 ميكرو أمبير @ 16.7 فولت |
| الجهد - زينر (نوم) (Vz): | 22 فولت |
| الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: | 1.2 فولت @ 200 مللي أمبير |
| الفئة: | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات زينر الثنائيات زينر واحدة |
|---|---|
| حالة المنتج: | نشط |
| الحالي - عكس التسرب @ Vr: | 1 ميكرو أمبير عند 13.7 فولت |
| الجهد - زينر (نوم) (Vz): | 18 فولت |
| الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: | 1.2 فولت @ 200 مللي أمبير |
| الفئة: | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات زينر الثنائيات زينر واحدة |
|---|---|
| حالة المنتج: | نشط |
| الحالي - عكس التسرب @ Vr: | 1 ميكرو أمبير عند 11.4 فولت |
| الجهد - زينر (نوم) (Vz): | 15 فولت |
| الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: | 1.2 فولت @ 200 مللي أمبير |
| الفئة: | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات زينر الثنائيات زينر واحدة |
|---|---|
| حالة المنتج: | نشط |
| الحالي - عكس التسرب @ Vr: | 1 ميكرو أمبير @ 9.1 فولت |
| الجهد - زينر (نوم) (Vz): | 12 فولت |
| الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: | 1.2 فولت @ 200 مللي أمبير |
| الفئة: | الدوائر المتكاملة الذاكرة الذاكرة |
|---|---|
| حالة المنتج: | نشط |
| نوع التثبيت: | من خلال الثقب |
| الحزمة: | أنبوب |
| السلسلة: | - |
| الفئة: | الدوائر المتكاملة الذاكرة الذاكرة |
|---|---|
| حالة المنتج: | نشط |
| نوع التثبيت: | جبل السطح |
| الحزمة: | الشريط والفكرة (TR) شريط قطع (CT) ديجي ريل® |
| السلسلة: | - |
| الفئة: | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات زينر الثنائيات زينر واحدة |
|---|---|
| حالة المنتج: | نشط |
| الحالي - عكس التسرب @ Vr: | 5 ميكرو أمبير عند 8 فولت |
| الجهد - زينر (نوم) (Vz): | 10 فولت |
| الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: | 1.2 فولت @ 200 مللي أمبير |
| الفئة: | الدوائر المتكاملة الذاكرة الذاكرة |
|---|---|
| حجم الذاكرة: | 1 ميجابت |
| حالة المنتج: | نشط |
| نوع التثبيت: | من خلال الثقب |
| الحزمة: | أنبوب |
| الفئة: | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات زينر الثنائيات زينر واحدة |
|---|---|
| حالة المنتج: | نشط |
| الحالي - عكس التسرب @ Vr: | 5 ميكرو أمبير @ 6.5 فولت |
| الجهد - زينر (نوم) (Vz): | 8.2 فولت |
| الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: | 1.2 فولت @ 200 مللي أمبير |
