الدوائر المتكاملة للذاكرة MT28F800B3SG-9 TET
| تكنولوجيا :: | فلاش - ولا |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | غير متطاير |
| مخزون المصنع:: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | 90ns |
| تكنولوجيا :: | فلاش - ولا |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | غير متطاير |
| مخزون المصنع:: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | 90ns |
| تكنولوجيا :: | فلاش - ولا |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | غير متطاير |
| مخزون المصنع:: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | 90ns |
| تكنولوجيا :: | فلاش - ولا |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | غير متطاير |
| مخزون المصنع:: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | 90ns |
| تكنولوجيا :: | فلاش - ولا |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | غير متطاير |
| مخزون المصنع:: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | 90ns |
| تكنولوجيا :: | فلاش - ولا |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | غير متطاير |
| مخزون المصنع:: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | 80ns |
| تكنولوجيا :: | فلاش - ولا |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | غير متطاير |
| مخزون المصنع:: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | 80ns |
| تكنولوجيا :: | فلاش - ولا |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | غير متطاير |
| مخزون المصنع:: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | 80ns |
| تكنولوجيا :: | فلاش - ولا |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | غير متطاير |
| مخزون المصنع:: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | 80ns |
| تكنولوجيا :: | فلاش - ولا |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | غير متطاير |
| مخزون المصنع:: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | 80ns |
| تكنولوجيا :: | PSRAM (Pseudo SRAM) |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | متقلب |
| مخزون المصنع:: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | 70ns |
| تكنولوجيا :: | PSRAM (Pseudo SRAM) |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | متقلب |
| مخزون المصنع:: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | 85 نانو |
| تكنولوجيا :: | PSRAM (Pseudo SRAM) |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | متقلب |
| مخزون المصنع:: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | 70ns |
| تكنولوجيا :: | PSRAM (Pseudo SRAM) |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | متقلب |
| مخزون المصنع:: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | 70ns |
| تكنولوجيا :: | PSRAM (Pseudo SRAM) |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | متقلب |
| مخزون المصنع:: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | 70ns |
| تكنولوجيا :: | PSRAM (Pseudo SRAM) |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | متقلب |
| مخزون المصنع:: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | 85 نانو |
