الدوائر المتكاملة للذاكرة MT29F2T08CTCBBJ7-6R:B TR
| تكنولوجيا :: | فلاش - ناند |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | غير متطاير |
| مخزون المصنع:: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | - |
| تكنولوجيا :: | فلاش - ناند |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | غير متطاير |
| مخزون المصنع:: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | - |
| تكنولوجيا :: | - |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | - |
| مخزون المصنع:: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | - |
| تكنولوجيا :: | PSRAM (Pseudo SRAM) |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | متقلب |
| مخزون المصنع:: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | 85 نانو |
| تكنولوجيا :: | فلاش - ناند |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | غير متطاير |
| مخزون المصنع:: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | - |
| تكنولوجيا :: | - |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | - |
| مخزون المصنع:: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | - |
| تكنولوجيا :: | PSRAM (Pseudo SRAM) |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | متقلب |
| مخزون المصنع:: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | 70ns |
| تكنولوجيا :: | فلاش - ناند |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | غير متطاير |
| مخزون المصنع:: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | - |
| تكنولوجيا :: | - |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | - |
| مخزون المصنع:: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | - |
| تكنولوجيا :: | PSRAM (Pseudo SRAM) |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | متقلب |
| مخزون المصنع:: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | 70ns |
| تكنولوجيا :: | فلاش - ناند |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | غير متطاير |
| مخزون المصنع:: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | - |
| تكنولوجيا :: | فلاش |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | غير متطاير |
| مخزون المصنع:: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | - |
| تكنولوجيا :: | PSRAM (Pseudo SRAM) |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | متقلب |
| مخزون المصنع:: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | 85 نانو |
| تكنولوجيا :: | فلاش - ناند |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | غير متطاير |
| مخزون المصنع:: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | - |
| تكنولوجيا :: | SDRAM - DDR |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | متقلب |
| مخزون المصنع:: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | 15ns |
| تكنولوجيا :: | ذاكرة SDRAM - DDR4 |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | متقلب |
| مخزون المصنع:: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | - |
