الدوائر المتكاملة للذاكرة TE28F640J3D75A
| تكنولوجيا :: | فلاش - ولا |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | غير متطاير |
| مخزون المصنع:: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | 75ns |
| تكنولوجيا :: | فلاش - ولا |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | غير متطاير |
| مخزون المصنع:: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | 75ns |
| تكنولوجيا :: | فلاش - NAND، LPDRAM المحمول |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | غير متطاير |
| مخزون المصنع:: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | - |
| تكنولوجيا :: | فلاش - ولا |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | غير متطاير |
| مخزون المصنع:: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | 75ns |
| تكنولوجيا :: | فلاش - NAND، LPDRAM المحمول |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | غير متطاير |
| مخزون المصنع:: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | - |
| تكنولوجيا :: | فلاش - ولا |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | غير متطاير |
| مخزون المصنع:: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | 85 نانو |
| تكنولوجيا :: | فلاش - NAND، LPDRAM المحمول |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | غير متطاير |
| مخزون المصنع:: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | - |
| تكنولوجيا :: | فلاش - ولا |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | غير متطاير |
| مخزون المصنع:: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | 85 نانو |
| تكنولوجيا :: | فلاش - NAND، LPDRAM المحمول |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | غير متطاير |
| مخزون المصنع:: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | - |
| تكنولوجيا :: | فلاش - ولا |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | غير متطاير |
| مخزون المصنع:: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | 75ns |
| تكنولوجيا :: | فلاش - ناند |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | غير متطاير |
| مخزون المصنع:: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | - |
| تكنولوجيا :: | فلاش - ولا |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | غير متطاير |
| مخزون المصنع:: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | 95ns |
| تكنولوجيا :: | فلاش - ناند |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | غير متطاير |
| مخزون المصنع:: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | - |
| تكنولوجيا :: | فلاش - ولا |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | غير متطاير |
| مخزون المصنع:: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | 95ns |
| تكنولوجيا :: | فلاش - ناند |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | غير متطاير |
| مخزون المصنع:: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | - |
| تكنولوجيا :: | فلاش - ولا |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | غير متطاير |
| مخزون المصنع:: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | 85 نانو |
