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Circuits intégrés IC 1N5940PE3/TR8

Catégorie: Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Zener Diodes à Zener unique
Statut du produit: Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr: 1 μA @ 32,7 V
Le niveau de tension est calculé en fonction de la fréquence d'écoulement de l'appareil.: 43 V
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si: 1.2 V @ 200 mA
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Circuits intégrés de circuits intégrés SMAJ4733AE3/TR13

Catégorie: Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Zener Diodes à Zener unique
Statut du produit: Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr: 10 μA @ 1 V
Le niveau de tension est calculé en fonction de la fréquence d'écoulement de l'appareil.: 5.1 V
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si: 1.2 V @ 200 mA
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Circuits intégrés IC 25AA080A-I/MS

Catégorie: Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire
Taille de mémoire: 8Kbit
Statut du produit: Actif
Type de montage: Monture de surface
Le paquet: Tuyaux
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Circuits intégrés IC 1N5937PE3/TR8

Catégorie: Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Zener Diodes à Zener unique
Statut du produit: Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr: 1 μA @ 25,1 V
Le niveau de tension est calculé en fonction de la fréquence d'écoulement de l'appareil.: 33 V
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si: 1.2 V @ 200 mA
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Catégorie: Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Zener Diodes à Zener unique
Statut du produit: Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr: 1 μA @ 51,2 V
Le niveau de tension est calculé en fonction de la fréquence d'écoulement de l'appareil.: 68 V
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si: 1.2 V @ 200 mA
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Circuits intégrés IC 25AA160DT-I/ST

Catégorie: Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire
Taille de mémoire: 16 Kbit
Statut du produit: Actif
Type de montage: Monture de surface
Le paquet: Tape et bobine (TR)
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Circuits intégrés IC 25LC160D-I/MS

Catégorie: Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire
Taille de mémoire: 16 Kbit
Statut du produit: Actif
Type de montage: Monture de surface
Le paquet: Tuyaux
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Catégorie: Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire
Taille de mémoire: 64 Kbit
Statut du produit: Actif
Type de montage: Monture de surface
Le paquet: Tuyaux
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Circuits intégrés IC 1N5935PE3/TR8

Catégorie: Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Zener Diodes à Zener unique
Statut du produit: Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr: 1 μA @ 20,6 V
Le niveau de tension est calculé en fonction de la fréquence d'écoulement de l'appareil.: 28 V
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si: 1.2 V @ 200 mA
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Catégorie: Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Zener Diodes à Zener unique
Statut du produit: Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr: 1 μA @ 47,1 V
Le niveau de tension est calculé en fonction de la fréquence d'écoulement de l'appareil.: Pour les appareils électroniques
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si: 1.2 V @ 200 mA
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Catégorie: Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire
Taille de mémoire: 16 Kbit
Statut du produit: Actif
Type de montage: Monture de surface
Le paquet: Tuyaux
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Catégorie: Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Zener Diodes à Zener unique
Statut du produit: Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr: 1 μA @ 42,6 V
Le niveau de tension est calculé en fonction de la fréquence d'écoulement de l'appareil.: 56 V
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si: 1.2 V @ 200 mA
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Catégorie: Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Zener Diodes à Zener unique
Statut du produit: Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr: 1 μA @ 15,2 V
Le niveau de tension est calculé en fonction de la fréquence d'écoulement de l'appareil.: 20 V
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si: 1.2 V @ 200 mA
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Catégorie: Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire
Taille de mémoire: 4Kbit
Statut du produit: Actif
Type de montage: Monture de surface
Le paquet: Tape et bobine (TR)
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Catégorie: Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Zener Diodes à Zener unique
Statut du produit: Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr: 1 μA @ 38,8 V
Le niveau de tension est calculé en fonction de la fréquence d'écoulement de l'appareil.: 51 V
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si: 1.2 V @ 200 mA
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