Circuits intégrés mémoire N25Q128A13EF840E
| Technologie:: | ÉCLAIR - NI |
|---|---|
| Catégorie de produit:: | Circuits intégrés mémoire |
| Type de mémoire:: | Non volatils |
| Factory Stock :: | 0 |
| Écrire le temps de cycle - mot, page:: | 8 secondes, 5 secondes |
| Technologie:: | ÉCLAIR - NI |
|---|---|
| Catégorie de produit:: | Circuits intégrés mémoire |
| Type de mémoire:: | Non volatils |
| Factory Stock :: | 0 |
| Écrire le temps de cycle - mot, page:: | 8 secondes, 5 secondes |
| Technologie:: | ÉCLAIR - NI |
|---|---|
| Catégorie de produit:: | Circuits intégrés mémoire |
| Type de mémoire:: | Non volatils |
| Factory Stock :: | 0 |
| Écrire le temps de cycle - mot, page:: | 8 secondes, 5 secondes |
| Technologie:: | SDRAM - LPDDR4 mobile |
|---|---|
| Catégorie de produit:: | Circuits intégrés mémoire |
| Type de mémoire:: | Volatil |
| Factory Stock :: | 0 |
| Écrire le temps de cycle - mot, page:: | - |
| Technologie:: | SDRAM-DDR2 |
|---|---|
| Catégorie de produit:: | Circuits intégrés mémoire |
| Type de mémoire:: | Volatil |
| Factory Stock :: | 0 |
| Écrire le temps de cycle - mot, page:: | 15ns |
| Technologie:: | SDRAM-DDR2 |
|---|---|
| Catégorie de produit:: | Circuits intégrés mémoire |
| Type de mémoire:: | Volatil |
| Factory Stock :: | 0 |
| Écrire le temps de cycle - mot, page:: | 15ns |
| Technologie:: | - |
|---|---|
| Catégorie de produit:: | Circuits intégrés mémoire |
| Type de mémoire:: | - |
| Factory Stock :: | 0 |
| Écrire le temps de cycle - mot, page:: | - |
| Technologie:: | ÉCLAIR - NI |
|---|---|
| Catégorie de produit:: | Circuits intégrés mémoire |
| Type de mémoire:: | Non volatils |
| Factory Stock :: | 0 |
| Écrire le temps de cycle - mot, page:: | 15ms, 5ms |
| Technologie:: | SDRAM-DDR2 |
|---|---|
| Catégorie de produit:: | Circuits intégrés mémoire |
| Type de mémoire:: | Volatil |
| Factory Stock :: | 0 |
| Écrire le temps de cycle - mot, page:: | 15ns |
| Technologie:: | SDRAM - LPDDR4 mobile |
|---|---|
| Catégorie de produit:: | Circuits intégrés mémoire |
| Type de mémoire:: | Volatil |
| Factory Stock :: | 0 |
| Écrire le temps de cycle - mot, page:: | - |
| Technologie:: | ÉCLAIR - NI |
|---|---|
| Catégorie de produit:: | Circuits intégrés mémoire |
| Type de mémoire:: | Non volatils |
| Factory Stock :: | 0 |
| Écrire le temps de cycle - mot, page:: | 15ms, 5ms |
| Technologie:: | SDRAM-DDR2 |
|---|---|
| Catégorie de produit:: | Circuits intégrés mémoire |
| Type de mémoire:: | Volatil |
| Factory Stock :: | 0 |
| Écrire le temps de cycle - mot, page:: | 15ns |
| Technologie:: | SDRAM - LPDDR4 mobile |
|---|---|
| Catégorie de produit:: | Circuits intégrés mémoire |
| Type de mémoire:: | Volatil |
| Factory Stock :: | 0 |
| Écrire le temps de cycle - mot, page:: | - |
| Technologie:: | Flash - NAND, LPDRAM pour appareil mobile |
|---|---|
| Catégorie de produit:: | Circuits intégrés mémoire |
| Type de mémoire:: | Non volatils |
| Factory Stock :: | 0 |
| Écrire le temps de cycle - mot, page:: | - |
| Technologie:: | SDRAM-DDR2 |
|---|---|
| Catégorie de produit:: | Circuits intégrés mémoire |
| Type de mémoire:: | Volatil |
| Factory Stock :: | 0 |
| Écrire le temps de cycle - mot, page:: | 15ns |
| Technologie:: | - |
|---|---|
| Catégorie de produit:: | Circuits intégrés mémoire |
| Type de mémoire:: | - |
| Factory Stock :: | 0 |
| Écrire le temps de cycle - mot, page:: | - |
