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Catégorie: Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS
Caractéristique de FET: -
Statut du produit: Actif
Type de montage: Monture de surface
Vgs(th) (maximum) @ Id: 2V @ 2mA
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Catégorie: Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS
Caractéristique de FET: -
Statut du produit: Actif
Type de montage: À travers le trou
Vgs(th) (maximum) @ Id: 2V @ 1mA
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Catégorie: Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS
Caractéristique de FET: -
Statut du produit: Actif
Type de montage: À travers le trou
Vgs(th) (maximum) @ Id: 2.4V @ 1mA
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Catégorie: Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS
Caractéristique de FET: -
Statut du produit: Actif
Type de montage: Monture de surface
Vgs(th) (maximum) @ Id: 2.4V @ 1mA
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Catégorie: Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS
Caractéristique de FET: -
Statut du produit: Actif
Type de montage: Monture de surface
Vgs(th) (maximum) @ Id: 1V @ 1mA
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Catégorie: Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS
Caractéristique de FET: -
Statut du produit: Actif
Type de montage: À travers le trou
Vgs(th) (maximum) @ Id: 1.6V @ 1mA
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Catégorie: Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS
Caractéristique de FET: -
Statut du produit: Actif
Type de montage: À travers le trou
Vgs(th) (maximum) @ Id: 2V @ 1mA
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Catégorie: Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS
Caractéristique de FET: -
Statut du produit: Actif
Type de montage: À travers le trou
Vgs(th) (maximum) @ Id: 1.6V @ 1mA
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Catégorie: Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS
Caractéristique de FET: -
Statut du produit: Actif
Type de montage: À travers le trou
Vgs(th) (maximum) @ Id: 2V @ 1mA
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Catégorie: Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS
Caractéristique de FET: -
Statut du produit: Actif
Type de montage: À travers le trou
Vgs(th) (maximum) @ Id: 1.6V @ 500μA
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Catégorie: Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS
Caractéristique de FET: -
Statut du produit: Actif
Type de montage: À travers le trou
Vgs(th) (maximum) @ Id: 1.6V @ 500μA
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Catégorie: Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS
Caractéristique de FET: -
Statut du produit: Actif
Type de montage: À travers le trou
Vgs(th) (maximum) @ Id: 2V @ 1mA
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Catégorie: Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS
Caractéristique de FET: -
Statut du produit: Actif
Type de montage: À travers le trou
Vgs(th) (maximum) @ Id: 2.4V @ 1mA
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Catégorie: Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS
Caractéristique de FET: -
Statut du produit: Actif
Type de montage: À travers le trou
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Catégorie: Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS
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Statut du produit: Actif
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