| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS |
|---|---|
| Caractéristique de FET: | - |
| Vgs(th) (maximum) @ Id: | 2.8V @ 1mA |
| Température de fonctionnement: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Emballage / boîtier: | SOT-227-4, miniBLOC |
| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS |
|---|---|
| Caractéristique de FET: | - |
| Vgs(th) (maximum) @ Id: | 5V @ 5mA |
| Température de fonctionnement: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Emballage / boîtier: | SOT-227-4, miniBLOC |
| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS |
|---|---|
| Caractéristique de FET: | - |
| Vgs(th) (maximum) @ Id: | 5V @ 2,5mA |
| Température de fonctionnement: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Emballage / boîtier: | SOT-227-4, miniBLOC |
| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS |
|---|---|
| Caractéristique de FET: | - |
| Vgs(th) (maximum) @ Id: | 2.8V @ 1mA |
| Température de fonctionnement: | -55°C à 175°C (TJ) |
| Emballage / boîtier: | SOT-227-4, miniBLOC |
| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS |
|---|---|
| Caractéristique de FET: | - |
| Vgs(th) (maximum) @ Id: | 4V @ 2,5mA |
| Température de fonctionnement: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Emballage / boîtier: | SOT-227-4, miniBLOC |
| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS |
|---|---|
| Caractéristique de FET: | - |
| Vgs(th) (maximum) @ Id: | 2.8V @ 1mA |
| Température de fonctionnement: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Emballage / boîtier: | SOT-227-4, miniBLOC |
| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS |
|---|---|
| Caractéristique de FET: | - |
| Vgs(th) (maximum) @ Id: | 2.4V @ 4mA |
| Température de fonctionnement: | -55°C à 175°C (TJ) |
| Emballage / boîtier: | Pour les appareils de traitement de l'air, le système d'échantillonnage est le suivant: |
| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS |
|---|---|
| Caractéristique de FET: | - |
| Vgs(th) (maximum) @ Id: | 2.4V @ 4mA |
| Température de fonctionnement: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Emballage / boîtier: | SOT-227-4, miniBLOC |
| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS |
|---|---|
| Caractéristique de FET: | - |
| Vgs(th) (maximum) @ Id: | 4V @ 2,5mA |
| Température de fonctionnement: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Emballage / boîtier: | SOT-227-4, miniBLOC |
| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS |
|---|---|
| Caractéristique de FET: | - |
| Vgs(th) (maximum) @ Id: | 2.7V @ 1mA |
| Température de fonctionnement: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Emballage / boîtier: | SOT-227-4, miniBLOC |
| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS |
|---|---|
| Caractéristique de FET: | - |
| Vgs(th) (maximum) @ Id: | 5V @ 2,5mA |
| Température de fonctionnement: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Emballage / boîtier: | SOT-227-4, miniBLOC |
| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS |
|---|---|
| Caractéristique de FET: | - |
| Vgs(th) (maximum) @ Id: | 5V @ 2,5mA |
| Température de fonctionnement: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Emballage / boîtier: | Pour les produits de base, les prix sont les suivants: |
| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS |
|---|---|
| Caractéristique de FET: | - |
| Vgs(th) (maximum) @ Id: | 5V @ 2,5mA |
| Température de fonctionnement: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Emballage / boîtier: | Pour les produits de base, les prix sont les suivants: |
| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS |
|---|---|
| Caractéristique de FET: | - |
| Vgs(th) (maximum) @ Id: | 2.7V @ 2mA |
| Température de fonctionnement: | -55°C à 175°C (TJ) |
| Emballage / boîtier: | TO-247-3 |
| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS |
|---|---|
| Caractéristique de FET: | - |
| Vgs(th) (maximum) @ Id: | 5V @ 2,5mA |
| Température de fonctionnement: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Emballage / boîtier: | Pour les produits de base, les prix sont les suivants: |
