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Circuits intégrés IC TN0604N3-G

Catégorie: Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS
Caractéristique de FET: -
Statut du produit: Actif
Type de montage: À travers le trou
Vgs(th) (maximum) @ Id: 1.6V @ 1mA
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Catégorie: Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS
Caractéristique de FET: Mode d'épuisement
Statut du produit: Actif
Type de montage: À travers le trou
Vgs(th) (maximum) @ Id: -
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Catégorie: Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS
Caractéristique de FET: Mode d'épuisement
Statut du produit: Actif
Type de montage: À travers le trou
Vgs(th) (maximum) @ Id: -
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Catégorie: Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS
Caractéristique de FET: -
Statut du produit: Actif
Type de montage: Monture de surface
Vgs(th) (maximum) @ Id: 2.4V @ 1mA
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Catégorie: Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS
Caractéristique de FET: -
Statut du produit: Actif
Type de montage: Monture de surface
Vgs(th) (maximum) @ Id: 2.4V @ 1mA
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Catégorie: Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS
Caractéristique de FET: -
Statut du produit: Actif
Type de montage: Monture de surface
Vgs(th) (maximum) @ Id: 1.2V @ 250µA
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Catégorie: Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS
Caractéristique de FET: -
Statut du produit: Actif
Type de montage: Monture de surface
Vgs(th) (maximum) @ Id: 2.4V @ 1mA
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Catégorie: Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS
Caractéristique de FET: -
Statut du produit: Actif
Type de montage: À travers le trou
Vgs(th) (maximum) @ Id: 2,5 V à 1 mA
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Catégorie: Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS
Caractéristique de FET: -
Statut du produit: Actif
Type de montage: Monture de surface
Vgs(th) (maximum) @ Id: 4V @ 1mA
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Catégorie: Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS
Caractéristique de FET: Mode d'épuisement
Statut du produit: Actif
Type de montage: À travers le trou
Vgs(th) (maximum) @ Id: -
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Catégorie: Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS
Caractéristique de FET: -
Statut du produit: Actif
Type de montage: À travers le trou
Vgs(th) (maximum) @ Id: 2.5V @ 250µA
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Catégorie: Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS
Caractéristique de FET: -
Statut du produit: Actif
Type de montage: À travers le trou
Vgs(th) (maximum) @ Id: 2,5 V à 1 mA
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Catégorie: Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS
Caractéristique de FET: -
Statut du produit: Actif
Type de montage: À travers le trou
Vgs(th) (maximum) @ Id: 2V @ 1mA
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Catégorie: Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS
Caractéristique de FET: -
Statut du produit: Actif
Type de montage: Monture de surface
Vgs(th) (maximum) @ Id: 2.4V @ 1mA
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Catégorie: Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS
Caractéristique de FET: -
Statut du produit: Actif
Type de montage: Monture de surface
Vgs(th) (maximum) @ Id: 1.2V @ 250µA
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