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Les circuits intégrés à mémoire MT29F4G08ABAEAWP-IT:E TR

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: États-Unis
Nom de marque: Micron Technology
Numéro de modèle: MT29F4G08ABAEAWP-IT : E TR
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 50 pièces
Prix: RFQ
Détails d'emballage: DSI/vacuum/écume/cartouches
Délai de livraison: Immédiatement.
Conditions de paiement: T/T, Western Union, dépôt en escrow, Paypal, Visa, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement: RFC
Caractéristiques Description de produit Demandez une citation
Caractéristiques
Caractéristiques
Technologie:: Flash - NAND
Catégorie de produit:: Circuits intégrés mémoire
Type de mémoire:: Non volatils
Le stock de l'usine:: 0
Écrire le temps de cycle - mot, page:: -
Package du fournisseur:: 48-TSOP
Temps d' accès:: -
Format de mémoire:: Le flash
Statut de la partie:: Actif
Taille de mémoire:: 4Gb (512M x 8)
Emballage:: & de bande ; Bobine (TR)
@ qty:: 0
Température de fonctionnement:: -40°C à 85°C (TA)
Quantité minimale:: 1000
Interface de mémoire:: Parallèlement
Emballage / boîtier:: 48-TFSOP (0,724", largeur de 18,40 mm)
Type de montage:: Monture de surface
Fréquence d' horloge:: -
Voltage - Appui électrique: 2,7 V | 3,6 V
Série:: -
Fabricant:: Technologie des microns
Description de produit
Le MT29F4G08ABAEAWP-IT:E TR,de Micron Technology,est des circuits intégrés de mémoire.Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial,qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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Personne à contacter : Mr. Jack
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