Les circuits intégrés de mémoire MT42L128M64D4LC-3 IT:A
Technologie:: | SDRAM - LPDDR2 mobile |
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Catégorie de produit:: | Circuits intégrés mémoire |
Type de mémoire:: | Volatil |
Factory Stock :: | 0 |
Écrire le temps de cycle - mot, page:: | - |
Technologie:: | SDRAM - LPDDR2 mobile |
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Catégorie de produit:: | Circuits intégrés mémoire |
Type de mémoire:: | Volatil |
Factory Stock :: | 0 |
Écrire le temps de cycle - mot, page:: | - |
Technologie:: | ÉCLAIR - NI |
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Catégorie de produit:: | Circuits intégrés mémoire |
Type de mémoire:: | Non volatils |
Factory Stock :: | 0 |
Écrire le temps de cycle - mot, page:: | 15ms, 5ms |
Technologie:: | Les données de l'appareil doivent être conservées dans le système de stockage. |
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Catégorie de produit:: | Circuits intégrés mémoire |
Type de mémoire:: | Non volatils |
Factory Stock :: | 0 |
Écrire le temps de cycle - mot, page:: | - |
Technologie:: | SDRAM - LPDDR2 mobile |
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Catégorie de produit:: | Circuits intégrés mémoire |
Type de mémoire:: | Volatil |
Factory Stock :: | 0 |
Écrire le temps de cycle - mot, page:: | - |
Technologie:: | ÉCLAIR - NI |
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Catégorie de produit:: | Circuits intégrés mémoire |
Type de mémoire:: | Non volatils |
Factory Stock :: | 0 |
Écrire le temps de cycle - mot, page:: | 15ms, 3ms |
Technologie:: | ÉCLAIR - NI |
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Catégorie de produit:: | Circuits intégrés mémoire |
Type de mémoire:: | Non volatils |
Factory Stock :: | 0 |
Écrire le temps de cycle - mot, page:: | 105ns |
Technologie:: | Les données de l'appareil doivent être conservées dans le système de stockage. |
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Catégorie de produit:: | Circuits intégrés mémoire |
Type de mémoire:: | Non volatils |
Factory Stock :: | 0 |
Écrire le temps de cycle - mot, page:: | - |
Technologie:: | SDRAM - LPDDR2 mobile |
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Catégorie de produit:: | Circuits intégrés mémoire |
Type de mémoire:: | Volatil |
Factory Stock :: | 0 |
Écrire le temps de cycle - mot, page:: | - |
Technologie:: | ÉCLAIR - NI |
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Catégorie de produit:: | Circuits intégrés mémoire |
Type de mémoire:: | Non volatils |
Factory Stock :: | 0 |
Écrire le temps de cycle - mot, page:: | 70ns |
Technologie:: | SDRAM - LPDDR2 mobile |
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Catégorie de produit:: | Circuits intégrés mémoire |
Type de mémoire:: | Volatil |
Factory Stock :: | 0 |
Écrire le temps de cycle - mot, page:: | - |
Technologie:: | - |
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Catégorie de produit:: | Circuits intégrés mémoire |
Type de mémoire:: | - |
Factory Stock :: | 0 |
Écrire le temps de cycle - mot, page:: | - |
Technologie:: | ÉCLAIR - NI |
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Catégorie de produit:: | Circuits intégrés mémoire |
Type de mémoire:: | Non volatils |
Factory Stock :: | 0 |
Écrire le temps de cycle - mot, page:: | 70ns |
Technologie:: | SDRAM-DDR |
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Catégorie de produit:: | Circuits intégrés mémoire |
Type de mémoire:: | Volatil |
Factory Stock :: | 0 |
Écrire le temps de cycle - mot, page:: | 15ns |
Technologie:: | - |
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Catégorie de produit:: | Circuits intégrés mémoire |
Type de mémoire:: | - |
Factory Stock :: | 0 |
Écrire le temps de cycle - mot, page:: | - |
Technologie:: | SDRAM-DDR |
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Catégorie de produit:: | Circuits intégrés mémoire |
Type de mémoire:: | Volatil |
Factory Stock :: | 0 |
Écrire le temps de cycle - mot, page:: | 15ns |