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Integrierte Schaltungen für IC APTM120DA30CT1G

Produktdetails:
Herkunftsort: USA
Markenname: Microchip Technology
Modellnummer: Die Angabe des Zulassungsdatums ist in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 765/2008 zu finden.
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 50 Stück
Preis: RFQ
Verpackung Informationen: ESD/Vakuum/Schaum/Karton
Lieferzeit: Ich muss sofort gehen.
Zahlungsbedingungen: T/T, Western Union, Treuhand, Paypal, Visa, MoneyGram
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: Zulassung
Technische Daten Produkt-Beschreibung Fordern Sie ein Zitat
Technische Daten
Technische Daten
Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET
Fet-Eigenschaft: -
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2,5mA
Betriebstemperatur: -40°C | 150°C (TJ)
Packung / Gehäuse: sp1
Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs: 560 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 25A, 10V
FET-Typ: N-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet): 10 V
Paket: Schüttgut
Abflussspannung zur Quelle (Vdss): 1200 V
Vgs (maximal): ±30V
Produktstatus: Aktiv
Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds: 14560 pF @ 25 V
Typ der Montage: Chassishalterung
Reihe: ENERGIE-MOS 8™
Lieferanten-Gerätepaket: sp1
Mfr: Mikrochiptechnik
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Verlustleistung (maximal): 657W (Tc)
Technologie: MOSFET (Metalloxid)
Basisproduktnummer: APTM120
Produkt-Beschreibung
N-Kanal 1200 V 31A (Tc) 657W (Tc) Fahrgestell SP1
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Ansprechpartner : Mr. Jack
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