| Kategorie: | Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Diodenarrays |
|---|---|
| Produktstatus: | Aktiv |
| Gegenwärtig - Durchschnitt korrigiert (Io) (pro Diode): | 1A |
| Betriebstemperatur - Kreuzung: | -65 °C ~ 200 °C |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn: | 800 mV bei 100 mA |
| Kategorie: | Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Diodenarrays |
|---|---|
| Produktstatus: | Aktiv |
| Paket: | Schlauch |
| Reihe: | - |
| Mfr: | Mikrochiptechnik |
| Kategorie: | Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Diodenarrays |
|---|---|
| Produktstatus: | Aktiv |
| Gegenwärtig - Durchschnitt korrigiert (Io) (pro Diode): | 95A |
| Betriebstemperatur - Kreuzung: | -55 °C ~ 175 °C |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn: | 2.5 V @ 100 A |
| Kategorie: | Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Diodenarrays |
|---|---|
| Produktstatus: | Aktiv |
| Gegenwärtig - Durchschnitt korrigiert (Io) (pro Diode): | 30A |
| Typ der Montage: | Chassishalterung |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn: | 1.3 V @ 30 A |
| Kategorie: | Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Diodenarrays |
|---|---|
| Produktstatus: | Aktiv |
| Gegenwärtig - Durchschnitt korrigiert (Io) (pro Diode): | 200 mA |
| Betriebstemperatur - Kreuzung: | -65 °C ~ 200 °C |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn: | 1.2 V @ 100 mA |
| Kategorie: | Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Diodenarrays |
|---|---|
| Produktstatus: | Aktiv |
| Gegenwärtig - Durchschnitt korrigiert (Io) (pro Diode): | 100A |
| Betriebstemperatur - Kreuzung: | -55 °C ~ 175 °C |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn: | 1.5 V @ 100 A |
| Kategorie: | Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Diodenarrays |
|---|---|
| Produktstatus: | Aktiv |
| Gegenwärtig - Durchschnitt korrigiert (Io) (pro Diode): | 1A |
| Betriebstemperatur - Kreuzung: | -65 °C ~ 200 °C |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn: | 800 mV bei 100 mA |
| Kategorie: | Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Diodenarrays |
|---|---|
| Produktstatus: | Aktiv |
| Gegenwärtig - Durchschnitt korrigiert (Io) (pro Diode): | 200 mA |
| Betriebstemperatur - Kreuzung: | -65 °C ~ 200 °C |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn: | 1.2 V @ 100 mA |
| Kategorie: | Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Diodenarrays |
|---|---|
| Produktstatus: | Aktiv |
| Gegenwärtig - Durchschnitt korrigiert (Io) (pro Diode): | 60A |
| Typ der Montage: | Chassishalterung |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn: | 1.5 V @ 60 A |
| Kategorie: | Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Diodenarrays |
|---|---|
| Produktstatus: | Aktiv |
| Gegenwärtig - Durchschnitt korrigiert (Io) (pro Diode): | 200 mA |
| Betriebstemperatur - Kreuzung: | -65 °C ~ 200 °C |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn: | 1.2 V @ 100 mA |
| Kategorie: | Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Diodenarrays |
|---|---|
| Produktstatus: | Aktiv |
| Gegenwärtig - Durchschnitt korrigiert (Io) (pro Diode): | 1A |
| Betriebstemperatur - Kreuzung: | -65 °C ~ 200 °C |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn: | 800 mV bei 100 mA |
| Kategorie: | Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Diodenarrays |
|---|---|
| Produktstatus: | Aktiv |
| Gegenwärtig - Durchschnitt korrigiert (Io) (pro Diode): | 60A |
| Typ der Montage: | Chassishalterung |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn: | 1.3 V @ 60 A |
| Kategorie: | Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Diodenarrays |
|---|---|
| Produktstatus: | Aktiv |
| Gegenwärtig - Durchschnitt korrigiert (Io) (pro Diode): | 30A |
| Typ der Montage: | Chassishalterung |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn: | 1,8 V @ 30 A |
| Kategorie: | Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Diodenarrays |
|---|---|
| Produktstatus: | Aktiv |
| Gegenwärtig - Durchschnitt korrigiert (Io) (pro Diode): | 30A |
| Typ der Montage: | Chassishalterung |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn: | 1.5 V @ 30 A |
| Kategorie: | Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Diodenarrays |
|---|---|
| Produktstatus: | Aktiv |
| Gegenwärtig - Durchschnitt korrigiert (Io) (pro Diode): | 200 mA |
| Betriebstemperatur - Kreuzung: | -65 °C ~ 200 °C |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn: | 1.2 V @ 100 mA |
