Αρχική Σελίδα /Προϊόντα/Ολοκληρωμένα κυκλώματα IC/Συμπληρωματικά κυκλώματα IC LND250K1-G

Συμπληρωματικά κυκλώματα IC LND250K1-G

Name: Συμπληρωματικά κυκλώματα IC LND250K1-G
Brand: Microchip Technology
SKU: LND250K1-G
Rating: 4.6 (159 reviews)

Λεπτομέρειες:
Τόπος καταγωγής:	ΗΠΑ
Μάρκα:	Microchip Technology
Αριθμό μοντέλου:	LND250K1-G
Πληρωμής & Αποστολής Όροι:
Ποσότητα παραγγελίας min:	50PCS
Τιμή:	RFQ
Συσκευασία λεπτομέρειες:	Δοκιμαστική συσκευή
Χρόνος παράδοσης:	Αμέσως.
Όροι πληρωμής:	T/T, Western Union, escrow, Paypal, Visa, MoneyGram
Δυνατότητα προσφοράς:	Επικεφαλής

Επικοινωνήστε

Προδιαγραφές Περιγραφή προϊόντων Ζητήστε ένα απόσπασμα

Προδιαγραφές

Κατηγορία: Διακριτά προϊόντα ημιαγωγών Τρανζίστορες FETs, MOSFETs Μοναδικά FET, MOSFET

Χαρακτηριστικό γνώρισμα FET: Τρόπος εξάντλησης

Κατάσταση του προϊόντος: Ενεργός

Τύπος στερέωσης: Επεξεργασία επιφανείας

Vgs(th) (Max) @ Id: -

Ικανότητα εισαγωγής (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V

Σειρά: -

Vgs (μέγιστο): ±20V

Πακέτο: Ταινία και τροχό (TR) Τραπέζια κόψιμο (CT) Digi-Reel®

Πακέτο συσκευής του προμηθευτή: ΜΈΘΥΣΟΣ-23 (-236AB)

Επικεφαλής (μέγιστο) @ Id, Vgs: 1000 Ohm @ 500μA, 0V

Δρ.: Τεχνολογία μικροτσίπ

Θερμοκρασία λειτουργίας: -55°C ~ 150°C (TJ)

Τύπος FET: N-Κανάλι

Τετάρτη, 15 Ιανουαρίου 2019: 0V

Διασκεδασμός δύναμης (Max): 360mW (TA)

Πακέτο / Κουτί: ΤΟ-236-3, SC-59, SOT-23-3

Τεχνική μέθοδος: 500 Β

Τρέχοντας - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25°C: 13mA (Tj)

Τεχνολογία: MOSFET (μεταλλικό οξείδιο)

Αριθμός βασικού προϊόντος: LND250

Περιγραφή προϊόντων

Διάδρομος N 500 V 13mA (Tj) 360mW (Ta) Επιφάνεια SOT-23 (TO-236AB)

ετικέτα:

Soic-8 ολοκληρωμένα κυκλώματα ολοκληρωμένου κυκλώματος

Συνιστώμενα προϊόντα

Ελάτε σε επαφή μαζί μας

Υπεύθυνος Επικοινωνίας :	Mr. Jack

Μήνυμα:

Χαρακτήρες Λοιπά(20/3000)

από: