आईसी एकीकृत सर्किट 1N5926PE3/TR8
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड जेनर सिंगल जेनर डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 1 µA @ 8.4 V |
| वोल्टेज - जेनर (नोम) (Vz): | 11 वि |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.2 वी @ 200 एमए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड जेनर सिंगल जेनर डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 1 µA @ 8.4 V |
| वोल्टेज - जेनर (नोम) (Vz): | 11 वि |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.2 वी @ 200 एमए |
| श्रेणी: | एकीकृत सर्किट (IC) स्मृति स्मृति |
|---|---|
| मेमोरी का आकार: | 8Kbit |
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
| पैकेज: | टेप और रील (TR) |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड जेनर सिंगल जेनर डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 5 μA @ 7 V |
| वोल्टेज - जेनर (नोम) (Vz): | 9.1 वी |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.2 वी @ 200 एमए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड जेनर सिंगल जेनर डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 1 µA @ 27.4 V |
| वोल्टेज - जेनर (नोम) (Vz): | 36 वी |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.2 वी @ 200 एमए |
| श्रेणी: | एकीकृत सर्किट (IC) स्मृति स्मृति |
|---|---|
| मेमोरी का आकार: | 4Kbit |
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
| पैकेज: | ट्यूब |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड जेनर सिंगल जेनर डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 5 μA @ 6 V |
| वोल्टेज - जेनर (नोम) (Vz): | 7.5 वी |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.2 वी @ 200 एमए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड जेनर सिंगल जेनर डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 1 µA @ 25.1 V |
| वोल्टेज - जेनर (नोम) (Vz): | 33 वी |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.2 वी @ 200 एमए |
| श्रेणी: | एकीकृत सर्किट (IC) स्मृति स्मृति |
|---|---|
| मेमोरी का आकार: | 4Kbit |
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
| पैकेज: | ट्यूब |
| श्रेणी: | एकीकृत सर्किट (IC) स्मृति स्मृति |
|---|---|
| मेमोरी का आकार: | 16 केबीटी |
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| माउंटिंग प्रकार: | छेद से |
| पैकेज: | ट्यूब |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड जेनर सिंगल जेनर डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 1 μA @ 22.8 V |
| वोल्टेज - जेनर (नोम) (Vz): | 30 वी |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.2 वी @ 200 एमए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड जेनर सिंगल जेनर डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 5 μA @ 4 V |
| वोल्टेज - जेनर (नोम) (Vz): | 6.2 वी |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.2 वी @ 200 एमए |
| श्रेणी: | एकीकृत सर्किट (IC) स्मृति स्मृति |
|---|---|
| मेमोरी का आकार: | 8Kbit |
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
| पैकेज: | टेप और रील (TR) |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड जेनर सिंगल जेनर डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 1 μA @ 20.6 V |
| वोल्टेज - जेनर (नोम) (Vz): | 27 वी |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.2 वी @ 200 एमए |
| श्रेणी: | एकीकृत सर्किट (IC) स्मृति स्मृति |
|---|---|
| मेमोरी का आकार: | 4Kbit |
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
| पैकेज: | टेप और रील (TR) |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड जेनर सिंगल जेनर डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 5 μA @ 2 V |
| वोल्टेज - जेनर (नोम) (Vz): | 5.1 वी |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.2 वी @ 200 एमए |
