आईसी एकीकृत सर्किट SMBJ5924AE3/TR13
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड जेनर सिंगल जेनर डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 5 μA @ 7 V |
| वोल्टेज - जेनर (नोम) (Vz): | 9.1 वी |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.2 वी @ 200 एमए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड जेनर सिंगल जेनर डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 5 μA @ 7 V |
| वोल्टेज - जेनर (नोम) (Vz): | 9.1 वी |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.2 वी @ 200 एमए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड जेनर सिंगल जेनर डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 5 µA @ 5.2 V |
| वोल्टेज - जेनर (नोम) (Vz): | 6.8 वी |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.2 वी @ 200 एमए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड जेनर सिंगल जेनर डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 100 µA @ 1 वी |
| वोल्टेज - जेनर (नोम) (Vz): | 3.6 वी |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.2 वी @ 200 एमए |
| श्रेणी: | एकीकृत सर्किट (IC) स्मृति स्मृति |
|---|---|
| मेमोरी का आकार: | 2केबीटी |
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| माउंटिंग प्रकार: | छेद से |
| पैकेज: | ट्यूब |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड जेनर सिंगल जेनर डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 5 μA @ 2 V |
| वोल्टेज - जेनर (नोम) (Vz): | 5.1 वी |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.2 वी @ 200 एमए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड जेनर सिंगल जेनर डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 5 μA @ 1 V |
| वोल्टेज - जेनर (नोम) (Vz): | 4.3 वी |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.2 वी @ 200 एमए |
| श्रेणी: | एकीकृत सर्किट (IC) स्मृति स्मृति |
|---|---|
| मेमोरी का आकार: | 1Kbit |
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| माउंटिंग प्रकार: | छेद से |
| पैकेज: | ट्यूब |
| श्रेणी: | एकीकृत सर्किट (IC) स्मृति स्मृति |
|---|---|
| मेमोरी का आकार: | 8Kbit |
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
| पैकेज: | ट्यूब |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड जेनर सिंगल जेनर डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 10 μA @ 5.17 V |
| वोल्टेज - जेनर (नोम) (Vz): | 6.8 वी |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.1 वी @ 200 एमए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड जेनर सिंगल जेनर डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 5 µA @ 69.2 V |
| वोल्टेज - जेनर (नोम) (Vz): | 91 वि |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.2 वी @ 200 एमए |
| श्रेणी: | एकीकृत सर्किट (IC) स्मृति स्मृति |
|---|---|
| मेमोरी का आकार: | 1Kbit |
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
| पैकेज: | ट्यूब |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड जेनर सिंगल जेनर डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 5 μA @ 9.1 V |
| वोल्टेज - जेनर (नोम) (Vz): | 12 वी |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.2 वी @ 200 एमए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड जेनर सिंगल जेनर डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 5 μA @ 47.1 V |
| वोल्टेज - जेनर (नोम) (Vz): | 62 वी |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.2 वी @ 200 एमए |
| श्रेणी: | एकीकृत सर्किट (IC) स्मृति स्मृति |
|---|---|
| मेमोरी का आकार: | 4Kbit |
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
| पैकेज: | टेप और रील (TR) |
| श्रेणी: | एकीकृत सर्किट (IC) स्मृति स्मृति |
|---|---|
| मेमोरी का आकार: | 4Kbit |
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
| पैकेज: | टेप और रील (TR) |
