आईसी एकीकृत सर्किट 1N5941PE3/TR12
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड जेनर सिंगल जेनर डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 1 µA @ 35.8 V |
| वोल्टेज - जेनर (नोम) (Vz): | 47 वि |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.2 वी @ 200 एमए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड जेनर सिंगल जेनर डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 1 µA @ 35.8 V |
| वोल्टेज - जेनर (नोम) (Vz): | 47 वि |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.2 वी @ 200 एमए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड जेनर सिंगल जेनर डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 1 µA @ 27.4 V |
| वोल्टेज - जेनर (नोम) (Vz): | 36 वी |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.2 वी @ 200 एमए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड जेनर सिंगल जेनर डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 1 μA @ 22.8 V |
| वोल्टेज - जेनर (नोम) (Vz): | 30 वी |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.2 वी @ 200 एमए |
| श्रेणी: | एकीकृत सर्किट (IC) स्मृति स्मृति |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| माउंटिंग प्रकार: | छेद से |
| पैकेज: | ट्यूब |
| श्रृंखला: | - |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड जेनर सिंगल जेनर डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 1 µA @ 16.7 V |
| वोल्टेज - जेनर (नोम) (Vz): | 22 वी |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.2 वी @ 200 एमए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड जेनर सिंगल जेनर डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 1 µA @ 13.7 V |
| वोल्टेज - जेनर (नोम) (Vz): | 18 वि |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.2 वी @ 200 एमए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड जेनर सिंगल जेनर डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 1 µA @ 11.4 V |
| वोल्टेज - जेनर (नोम) (Vz): | 15 वी |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.2 वी @ 200 एमए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड जेनर सिंगल जेनर डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 1 μA @ 9.1 V |
| वोल्टेज - जेनर (नोम) (Vz): | 12 वी |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.2 वी @ 200 एमए |
| श्रेणी: | एकीकृत सर्किट (IC) स्मृति स्मृति |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| माउंटिंग प्रकार: | छेद से |
| पैकेज: | ट्यूब |
| श्रृंखला: | - |
| श्रेणी: | एकीकृत सर्किट (IC) स्मृति स्मृति |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
| पैकेज: | टेप और रील (TR) कट टेप (सीटी) Digi-Reel® |
| श्रृंखला: | - |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड जेनर सिंगल जेनर डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 5 μA @ 8 V |
| वोल्टेज - जेनर (नोम) (Vz): | 10 वि |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.2 वी @ 200 एमए |
| श्रेणी: | एकीकृत सर्किट (IC) स्मृति स्मृति |
|---|---|
| मेमोरी का आकार: | 1 एमबीटी |
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| माउंटिंग प्रकार: | छेद से |
| पैकेज: | ट्यूब |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड जेनर सिंगल जेनर डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 5 μA @ 6.5 V |
| वोल्टेज - जेनर (नोम) (Vz): | 8.2 वी |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.2 वी @ 200 एमए |
| श्रेणी: | एकीकृत सर्किट (IC) स्मृति स्मृति |
|---|---|
| मेमोरी का आकार: | 1 एमबीटी |
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
| पैकेज: | ट्यूब |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड जेनर सिंगल जेनर डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 5 µA @ 5.2 V |
| वोल्टेज - जेनर (नोम) (Vz): | 6.8 वी |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.2 वी @ 200 एमए |
