| श्रेणी: | इंटीग्रेटेड सर्किट (आईसी) एंबेडेड माइक्रोकंट्रोलर |
|---|---|
| पैकेज / मामला: | 28-एसएसओपी (0.209", 5.30 मिमी चौड़ाई) |
| आई/ओ की संख्या: | 21 |
| परिचालन तापमान: | -40 डिग्री सेल्सियस ~ 125 डिग्री सेल्सियस (टीए) |
| वोल्टेज - आपूर्ति (Vcc/Vdd): | 3V ~ 3.6V |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड जेनर सिंगल जेनर डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 2 μA @ 3 V |
| वोल्टेज - जेनर (नोम) (Vz): | 6.2 वी |
| माउंटिंग प्रकार: | छेद से |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड जेनर सिंगल जेनर डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 50 एनए @ 12 वी |
| वोल्टेज - जेनर (नोम) (Vz): | 15 वी |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.5 वी @ 1 ए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड जेनर सिंगल जेनर डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 2 μA @ 3 V |
| वोल्टेज - जेनर (नोम) (Vz): | 5.89 वी |
| माउंटिंग प्रकार: | छेद से |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड जेनर सिंगल जेनर डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 7.5 µA @ 1 वी |
| वोल्टेज - जेनर (नोम) (Vz): | 1.8 वी |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.1 वी @ 200 एमए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड जेनर सिंगल जेनर डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 50 एनए @ 9.9 वी |
| वोल्टेज - जेनर (नोम) (Vz): | 13 वि |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.1 वी @ 200 एमए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड जेनर सिंगल जेनर डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 10 μA @ 7.6 V |
| वोल्टेज - जेनर (नोम) (Vz): | 10 वि |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.1 वी @ 200 एमए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड जेनर सिंगल जेनर डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 5 μA @ 9.1 V |
| वोल्टेज - जेनर (नोम) (Vz): | 12 वी |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.2 वी @ 200 एमए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड जेनर सिंगल जेनर डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 2 µA @ 8.6 V |
| वोल्टेज - जेनर (नोम) (Vz): | 12 वी |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.2 वी @ 1 ए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड जेनर सिंगल जेनर डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 5 μA @ 1 V |
| वोल्टेज - जेनर (नोम) (Vz): | 3.3 वी |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.1 वी @ 200 एमए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड जेनर सिंगल जेनर डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 5 µA @ 1.5 V |
| वोल्टेज - जेनर (नोम) (Vz): | 4.7 वी |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.1 वी @ 200 एमए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड जेनर सिंगल जेनर डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 10 μA @ 1 V |
| वोल्टेज - जेनर (नोम) (Vz): | 3.3 वी |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.5 वी @ 200 एमए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड जेनर सिंगल जेनर डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 10 μA @ 3 V |
| वोल्टेज - जेनर (नोम) (Vz): | 5.1 वी |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.5 वी @ 200 एमए |
| श्रेणी: | इंटीग्रेटेड सर्किट (आईसी) एंबेडेड माइक्रोकंट्रोलर |
|---|---|
| पैकेज / मामला: | 20-डीआईपी (0.300", 7.62 मिमी) |
| आई/ओ की संख्या: | 16 |
| परिचालन तापमान: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| वोल्टेज - आपूर्ति (Vcc/Vdd): | 1.8 वी ~ 5.5 वी |
| श्रेणी: | इंटीग्रेटेड सर्किट (आईसी) एंबेडेड माइक्रोकंट्रोलर |
|---|---|
| पैकेज / मामला: | 28-VFQFN एक्सपोजर पैड |
| आई/ओ की संख्या: | 23 |
| परिचालन तापमान: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| वोल्टेज - आपूर्ति (Vcc/Vdd): | 1.8 वी ~ 5.5 वी |
