आईसी एकीकृत सर्किट 1N2496
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 10 μA @ 500 V |
| माउंटिंग प्रकार: | स्टड माउंट |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.3 वी @ 30 ए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 10 μA @ 500 V |
| माउंटिंग प्रकार: | स्टड माउंट |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.3 वी @ 30 ए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 10 μA @ 300 V |
| माउंटिंग प्रकार: | स्टड माउंट |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.3 वी @ 30 ए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 10 μA @ 600 वी |
| माउंटिंग प्रकार: | स्टड माउंट |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1 वी @ 30 ए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 10 μA @ 50 V |
| माउंटिंग प्रकार: | स्टड माउंट |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.3 वी @ 30 ए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 10 μA @ 400 V |
| माउंटिंग प्रकार: | स्टड माउंट |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.3 वी @ 30 ए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 10 μA @ 400 V |
| माउंटिंग प्रकार: | स्टड माउंट |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.2 वी @ 30 ए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 10 μA @ 50 V |
| माउंटिंग प्रकार: | स्टड माउंट |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.2 वी @ 30 ए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 10 μA @ 200 V |
| माउंटिंग प्रकार: | स्टड माउंट |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.3 वी @ 30 ए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 750 μA @ 800 V |
| माउंटिंग प्रकार: | स्टड माउंट |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.2 वी @ 50 ए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 10 μA @ 200 V |
| माउंटिंग प्रकार: | स्टड माउंट |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.3 वी @ 30 ए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 10 μA @ 200 V |
| माउंटिंग प्रकार: | स्टड माउंट |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.3 वी @ 30 ए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 100 µA @ 1000 वी |
| माउंटिंग प्रकार: | स्टड माउंट |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1 वी @ 1 ए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 10 μA @ 50 V |
| माउंटिंग प्रकार: | स्टड माउंट |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.3 वी @ 30 ए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 10 μA @ 300 V |
| माउंटिंग प्रकार: | स्टड माउंट |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.3 वी @ 30 ए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 10 μA @ 200 V |
| माउंटिंग प्रकार: | स्टड माउंट |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1 वी @ 30 ए |
