आईसी एकीकृत सर्किट JANTXV1N6631US
श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
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उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 4 μA @ 1100 V |
माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.6 V @ 1.4 A |
श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
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उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 4 μA @ 1100 V |
माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.6 V @ 1.4 A |
श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
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उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 20 μA @ 200 V |
माउंटिंग प्रकार: | छेद से |
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1 वी @ 3 ए |
श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
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उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 5 μA @ 150 वी |
माउंटिंग प्रकार: | छेद से |
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.76 वी @ 18.8 ए |
श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
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उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 2 μA @ 1000 V |
माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.4 वी @ 1.4 ए |
श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
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उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 500 एनए @ 150 वी |
माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.1 वी @ 200 एमए |
श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
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उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन: | -65 डिग्री सेल्सियस ~ 175 डिग्री सेल्सियस |
माउंटिंग प्रकार: | छेद से |
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 875 एमवी @4 ए |
श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
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उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन: | -55 डिग्री सेल्सियस ~ 150 डिग्री सेल्सियस |
माउंटिंग प्रकार: | छेद से |
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.25 वी @ 3 ए |
श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
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उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 5 µA @ 50 वी |
माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 875 एमवी @4 ए |
श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
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उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 5 μA @ 150 वी |
माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 875 एमवी @4 ए |
श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
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उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन: | -55 डिग्री सेल्सियस ~ 150 डिग्री सेल्सियस |
माउंटिंग प्रकार: | छेद से |
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.25 वी @ 3 ए |
श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
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उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 5 µA @ 100 V |
माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 875 एमवी @4 ए |
श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर डायोड एरेज़ |
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उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ) (प्रति डायोड): | 200mA |
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन: | -65 डिग्री सेल्सियस ~ 175 डिग्री सेल्सियस |
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1 वी @ 200 एमए |
श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
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उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 2 μA @ 660 V |
माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.35 वी @ 2 ए |
श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर डायोड एरेज़ |
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उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ) (प्रति डायोड): | 200mA |
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन: | -65 डिग्री सेल्सियस ~ 175 डिग्री सेल्सियस |
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1 वी @ 200 एमए |
श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
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उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 20 μA @ 400 V |
माउंटिंग प्रकार: | छेद से |
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.25 वी @ 3 ए |