आईसी एकीकृत सर्किट JANS1N6639
श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
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उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 100 एनए @ 75 वी |
माउंटिंग प्रकार: | छेद से |
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.2 वी @ 500 एमए |
श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
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उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 100 एनए @ 75 वी |
माउंटिंग प्रकार: | छेद से |
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.2 वी @ 500 एमए |
श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
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उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 1.5 एमए @ 40 वी |
माउंटिंग प्रकार: | स्टड माउंट |
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 600 एमवी @ 5 ए |
श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
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उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 100 एनए @ 50 वी |
माउंटिंग प्रकार: | छेद से |
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.1 वी @ 200 एमए |
श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
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उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 5 μA @ 200 V |
माउंटिंग प्रकार: | चेसिस, स्टड माउंट |
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.35 वी @ 38 ए |
श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
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उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 10 μA @ 50 V |
माउंटिंग प्रकार: | स्टड माउंट |
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.2 वी @ 30 ए |
श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
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उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 5 μA @ 400 V |
माउंटिंग प्रकार: | स्टड माउंट |
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 2.3 वी @ 240 ए |
श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
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उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 5 μA @ 800 V |
माउंटिंग प्रकार: | चेसिस, स्टड माउंट |
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.35 वी @ 38 ए |
श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
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उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 1 µA @ 150 V |
माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.5 वी @9 ए |
श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर डायोड एरेज़ |
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उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ) (प्रति डायोड): | 300mA |
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन: | -65 डिग्री सेल्सियस ~ 175 डिग्री सेल्सियस |
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.2 वी @ 100 एमए |
श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
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उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 1 µA @ 150 V |
माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.5 वी @9 ए |
श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
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उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन: | -65 डिग्री सेल्सियस ~ 175 डिग्री सेल्सियस |
माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.5 वी @9 ए |
श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
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उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन: | -65 डिग्री सेल्सियस ~ 175 डिग्री सेल्सियस |
माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.5 वी @9 ए |
श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
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उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 1 µA @ 150 V |
माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.5 वी @9 ए |
श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
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उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन: | -65 डिग्री सेल्सियस ~ 175 डिग्री सेल्सियस |
माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.5 वी @9 ए |
श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
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उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 5 μA @ 1000 V |
माउंटिंग प्रकार: | चेसिस, स्टड माउंट |
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.35 वी @ 38 ए |