आईसी एकीकृत सर्किट JAN1N6625/TR
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 1 μA @ 1 V |
| माउंटिंग प्रकार: | छेद से |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.75 वी @ 1 ए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 1 μA @ 1 V |
| माउंटिंग प्रकार: | छेद से |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.75 वी @ 1 ए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 1 μA @ 500 V |
| माउंटिंग प्रकार: | छेद से |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.5 वी @9 ए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 2 μA @ 220 V |
| माउंटिंग प्रकार: | छेद से |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.35 वी @ 2 ए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 500 एनए @ 440 वी |
| माउंटिंग प्रकार: | छेद से |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.6 वी @ 2 ए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 2 μA @ 440 V |
| माउंटिंग प्रकार: | छेद से |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.35 वी @ 2 ए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 200 एनए @ 50 वी |
| माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1 वी @ 15 एमए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 1 μA @ 200 V |
| माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.5 वी @9 ए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 500 एनए @ 400 वी |
| माउंटिंग प्रकार: | छेद से |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.6 वी @3 ए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 1 μA @ 1000 V |
| माउंटिंग प्रकार: | छेद से |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.75 वी @ 1 ए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 500 एनए @ 900 वी |
| माउंटिंग प्रकार: | छेद से |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.55 वी @ 1 ए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 1 µA @ 600 V |
| माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.5 वी @9 ए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 1 µA @ 600 V |
| माउंटिंग प्रकार: | छेद से |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.3 वी @ 1 ए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 500 एनए @ 440 वी |
| माउंटिंग प्रकार: | छेद से |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.6 वी @ 2 ए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 2 μA @ 220 V |
| माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.35 वी @ 2 ए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 1 µA @ 600 V |
| माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.5 वी @9 ए |
