आईसी एकीकृत सर्किट 1N6075US
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 1 µA @ 150 V |
| माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 2.04 वी @ 9.4 ए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 1 µA @ 150 V |
| माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 2.04 वी @ 9.4 ए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन: | - |
| माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.2 वी @ 100 एमए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 2 μA @ 440 V |
| माउंटिंग प्रकार: | छेद से |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.35 वी @ 2 ए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 150 एनए @ 16 वी |
| माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1 वी @ 35 एमए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 2 μA @ 400 V |
| माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.35 वी @ 2 ए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 500 एनए @ 660 वी |
| माउंटिंग प्रकार: | छेद से |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.4 वी @ 1.2 ए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 1 µA @ 600 V |
| माउंटिंग प्रकार: | छेद से |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.2 वी @9 ए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 1 μA @ 50 V |
| माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 875 एमवी @ 1 ए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 500 एनए @ 75 वी |
| माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.2 वी @ 100 एमए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 500 एनए @ 440 वी |
| माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.4 वी @ 1.2 ए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 2 μA @ 440 V |
| माउंटिंग प्रकार: | छेद से |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.35 वी @ 2 ए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 500 एनए @ 75 वी |
| माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.2 वी @ 100 एमए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 1 μA @ 1100 V |
| माउंटिंग प्रकार: | छेद से |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.75 वी @ 1 ए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 1 µA @ 250 वी |
| माउंटिंग प्रकार: | छेद से |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1 वी @ 100 एमए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 100 µA @ 20 वी |
| माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 500 एमवी @3 ए |
