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स्मृति एकीकृत सर्किट NAND04GW3B2DN6E

उत्पाद विवरण:
उत्पत्ति के प्लेस: संयुक्त राज्य अमेरिका
ब्रांड नाम: Micron Technology
मॉडल संख्या: NAND04GW3B2DN6E
भुगतान & नौवहन नियमों:
न्यूनतम आदेश मात्रा: 50 पीसी
मूल्य: RFQ
पैकेजिंग विवरण: ESD/वैक्यूम/फोम/डिब्बों
प्रसव के समय: तुरंत
भुगतान शर्तें: टी/टी, वेस्टर्न यूनियन, एस्क्रो, पेपैल, वीजा, मनीग्राम
आपूर्ति की क्षमता: आरएफक्यू
निर्दिष्टीकरण उत्पाद विवरण एक बोली का अनुरोध
निर्दिष्टीकरण
निर्दिष्टीकरण
तकनीकी :: फ्लैश - नंद
उत्पाद श्रेणी :: मेमोरी आईसी
मेमोरी प्रकार:: गैर वाष्पशील
फ़ैक्टरी स्टॉक:: 0
चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ :: 25एनएस
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:: 48-टीएसओपी
पहूंच समय :: 25एनएस
मेमोरी प्रारूप:: चमक
भाग की स्थिति:: डिजी-की पर बंद कर दिया गया
मेमोरी का आकार :: 4 जीबी (512एम x 8)
पैकेजिंग:: ट्रे
@मात्रा :: 0
परिचालन तापमान :: -40°C ~ 85°C (TA)
न्यूनतम मात्रा :: 576
मेमोरी इंटरफ़ेस:: समानांतर
पैकेज/केस :: 48-टीएफएसओपी (0.724", 18.40 मिमी चौड़ाई)
माउन्टिंग का प्रकार :: सतह माउंट
घड़ी की आवृत्ति :: -
वोल्टेज आपूर्ति :: 2.7 वी ~ 3.6 वी
शृंखला :: -
निर्माता:: माइक्रोन प्रौद्योगिकी
उत्पाद विवरण
NAND04GW3B2DN6E,Micron Technology से,मेमोरी आईसी है।हम जो पेशकश करते हैं,उसकी वैश्विक बाजार में प्रतिस्पर्धी कीमत है,जो मूल और नए भागों में हैं।यदि आप उत्पादों के बारे में अधिक जानना चाहते हैं या कम कीमत लागू करना चाहते हैं, कृपया हमसे संपर्क करें ऑनलाइन चैट के माध्यम से या हमें एक उद्धरण भेजें!
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