आईसी एकीकृत सर्किट JANS1N5418US
श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
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उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 1 µA @ 150 V |
माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.5 वी @9 ए |
श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
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उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 1 µA @ 150 V |
माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.5 वी @9 ए |
श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
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उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 1.5 एमए @45 वी |
माउंटिंग प्रकार: | छेद से |
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 700 एमवी @ 30 ए |
श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
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उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन: | -65 डिग्री सेल्सियस ~ 150 डिग्री सेल्सियस |
माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 500 एमवी @3 ए |
श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर डायोड एरेज़ |
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उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ) (प्रति डायोड): | 300mA |
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन: | -65 डिग्री सेल्सियस ~ 175 डिग्री सेल्सियस |
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.2 वी @ 100 एमए |
श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
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उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन: | -65 डिग्री सेल्सियस ~ 175 डिग्री सेल्सियस |
माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.5 वी @9 ए |
श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
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उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 1.5 एमए @ 35 वी |
माउंटिंग प्रकार: | चेसिस, स्टड माउंट |
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 680 mV @ 30 A |
श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
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उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 10 μA @ 600 वी |
माउंटिंग प्रकार: | स्टड माउंट |
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.4 वी @ 110 ए |
श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
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उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 5 μA @ 200 V |
माउंटिंग प्रकार: | स्टड माउंट |
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 2.3 वी @ 240 ए |
श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
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उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन: | -65 डिग्री सेल्सियस ~ 150 डिग्री सेल्सियस |
माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 500 एमवी @3 ए |
श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
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उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 5 µA @ 100 V |
माउंटिंग प्रकार: | छेद से |
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 925 mV @ 6 A |
श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
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उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 15 µA @ 400 V |
माउंटिंग प्रकार: | स्टड माउंट |
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.25 वी @ 30 ए |
श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
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उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 15 μA @ 200 V |
माउंटिंग प्रकार: | चेसिस, स्टड माउंट |
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 975 एमवी @ 30 ए |
श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
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उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 5 μA @ 600 V |
माउंटिंग प्रकार: | चेसिस, स्टड माउंट |
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.35 वी @ 38 ए |
श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
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उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 5 μA @ 800 V |
माउंटिंग प्रकार: | चेसिस, स्टड माउंट |
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.35 वी @ 38 ए |
श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
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उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 5 μA @ 600 V |
माउंटिंग प्रकार: | चेसिस, स्टड माउंट |
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.35 वी @ 38 ए |