आईसी एकीकृत सर्किट JAN1N5802US
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 1 μA @ 50 V |
| माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 975 एमवी @ 2.5 ए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 1 μA @ 50 V |
| माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 975 एमवी @ 2.5 ए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 5 µA @ 50 वी |
| माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 875 एमवी @4 ए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 2 μA @ 600 V |
| माउंटिंग प्रकार: | छेद से |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.35 वी @ 2 ए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 1 μA @ 200 V |
| माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.2 वी @9 ए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 500 एनए @ 600 वी |
| माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.6 वी @3 ए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 100 एनए @ 75 वी |
| माउंटिंग प्रकार: | छेद से |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.2 वी @ 500 एमए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 500 एनए @ 800 वी |
| माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.6 वी @3 ए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 200 एनए @ 400 वी |
| माउंटिंग प्रकार: | छेद से |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1 वी @ 400 एमए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 1 μA @ 800 V |
| माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.3 वी @ 9 ए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 200 एनए @ 50 वी |
| माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1 वी @ 15 एमए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 50 एनए @ 400 वी |
| माउंटिंग प्रकार: | छेद से |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1 वी @ 400 एमए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 1 μA @ 400 V |
| माउंटिंग प्रकार: | छेद से |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.5 वी @9 ए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 1 μA @ 500 V |
| माउंटिंग प्रकार: | छेद से |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.5 वी @9 ए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 1 μA @ 50 V |
| माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 975 एमवी @ 2.5 ए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 500 एनए @ 75 वी |
| माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.2 वी @ 100 एमए |
