| カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
|---|---|
| メモリサイズ: | 16Kbit |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| パッケージ: | トューブ |
| カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
|---|---|
| メモリサイズ: | 16Kbit |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 穴を抜ける |
| パッケージ: | トューブ |
| カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
|---|---|
| メモリサイズ: | 128Kbit |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| パッケージ: | テープ&ロール (TR) 切断テープ (CT) Digi-Reel® |
| カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
|---|---|
| メモリサイズ: | 8Kbit |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| パッケージ: | テープ&ロール (TR) |
| カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
|---|---|
| メモリサイズ: | 16Kbit |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| パッケージ: | テープ&ロール (TR) |
| カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
|---|---|
| メモリサイズ: | 16Kbit |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| パッケージ: | テープ&ロール (TR) |
| カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
|---|---|
| メモリサイズ: | 16Kbit |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| パッケージ: | トューブ |
| カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
|---|---|
| メモリサイズ: | 16Kbit |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| パッケージ: | テープ&ロール (TR) |
| カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
|---|---|
| メモリサイズ: | 8Kbit |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 穴を抜ける |
| パッケージ: | トューブ |
| カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
|---|---|
| メモリサイズ: | 4Kbit |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| パッケージ: | トューブ |
| カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
|---|---|
| メモリサイズ: | 4Kbit |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| パッケージ: | トューブ |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| 電流 - 逆流出 @ Vr: | 100 μA @ 40 V |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| 電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 500 mV @ 3 A |
| カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
|---|---|
| メモリサイズ: | 16Kbit |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| パッケージ: | テープ&ロール (TR) 切断テープ (CT) Digi-Reel® |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| 電流 - 逆流出 @ Vr: | 1 μA @ 600 V |
| マウントタイプ: | 穴を抜ける |
| 電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1.2V @ 9A |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| 電流 - 逆流出 @ Vr: | 500 nA @ 200 V |
| マウントタイプ: | 穴を抜ける |
| 電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1.6V @ 3A |
