IC統合回路 SMBJ5363AE3/TR13
カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード ゼナー シングルゼナーダイオード |
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製品の状況: | アクティブ |
電流 - 逆流出 @ Vr: | 500 nA @ 21.6 V |
電圧 - ゼナー (Nom) (Vz): | 30V |
電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1.2V @ 1A |
カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード ゼナー シングルゼナーダイオード |
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製品の状況: | アクティブ |
電流 - 逆流出 @ Vr: | 500 nA @ 21.6 V |
電圧 - ゼナー (Nom) (Vz): | 30V |
電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1.2V @ 1A |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
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メモリサイズ: | 4Kbit |
製品の状況: | アクティブ |
マウントタイプ: | 表面マウント |
パッケージ: | トューブ |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
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メモリサイズ: | 2Kbit |
製品の状況: | アクティブ |
マウントタイプ: | 表面マウント |
パッケージ: | トューブ |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
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メモリサイズ: | 1Kbit |
製品の状況: | アクティブ |
マウントタイプ: | 表面マウント |
パッケージ: | テープ&ロール (TR) |
カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード ゼナー シングルゼナーダイオード |
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製品の状況: | アクティブ |
電流 - 逆流出 @ Vr: | 500 nA @ 15.8 V |
電圧 - ゼナー (Nom) (Vz): | 22V |
電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1.2V @ 1A |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
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メモリサイズ: | 4Kbit |
製品の状況: | アクティブ |
マウントタイプ: | 穴を抜ける |
パッケージ: | トューブ |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
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メモリサイズ: | 1Kbit |
製品の状況: | アクティブ |
マウントタイプ: | 表面マウント |
パッケージ: | テープ&ロール (TR) |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
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メモリサイズ: | 2Kbit |
製品の状況: | アクティブ |
マウントタイプ: | 表面マウント |
パッケージ: | トューブ |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
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メモリサイズ: | 4Kbit |
製品の状況: | アクティブ |
マウントタイプ: | 表面マウント |
パッケージ: | トューブ |
カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード ゼナー シングルゼナーダイオード |
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製品の状況: | アクティブ |
電流 - 逆流出 @ Vr: | 1 μA @ 11.5 V |
電圧 - ゼナー (Nom) (Vz): | 16V |
電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1.2V @ 1A |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
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メモリサイズ: | 4Kbit |
製品の状況: | アクティブ |
マウントタイプ: | 表面マウント |
パッケージ: | トューブ |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
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メモリサイズ: | 2Kbit |
製品の状況: | アクティブ |
マウントタイプ: | 表面マウント |
パッケージ: | トューブ |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
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メモリサイズ: | 16Kbit |
製品の状況: | アクティブ |
マウントタイプ: | 表面マウント |
パッケージ: | テープ&ロール (TR) |
カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード ゼナー シングルゼナーダイオード |
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製品の状況: | アクティブ |
電流 - 逆流出 @ Vr: | 5 μA @ 76 V |
電圧 - ゼナー (Nom) (Vz): | 100V |
電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1.2V @ 200mA |