IC統合回路 1PMT5937CE3/TR7
カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード ゼナー シングルゼナーダイオード |
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製品の状況: | アクティブ |
電流 - 逆流出 @ Vr: | 1 μA @ 25.1 V |
電圧 - ゼナー (Nom) (Vz): | 33V |
電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1.2V @ 200mA |
カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード ゼナー シングルゼナーダイオード |
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製品の状況: | アクティブ |
電流 - 逆流出 @ Vr: | 1 μA @ 25.1 V |
電圧 - ゼナー (Nom) (Vz): | 33V |
電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1.2V @ 200mA |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
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メモリサイズ: | 2Kbit |
製品の状況: | アクティブ |
マウントタイプ: | 表面マウント |
パッケージ: | トューブ |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
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メモリサイズ: | 1Kbit |
製品の状況: | アクティブ |
マウントタイプ: | 表面マウント |
パッケージ: | トューブ |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
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メモリサイズ: | 8Kbit |
製品の状況: | アクティブ |
マウントタイプ: | 表面マウント |
パッケージ: | トューブ |
カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード ゼナー シングルゼナーダイオード |
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製品の状況: | アクティブ |
電流 - 逆流出 @ Vr: | 1 μA @ 22.8 V |
電圧 - ゼナー (Nom) (Vz): | 30V |
電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1.2V @ 200mA |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
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製品の状況: | アクティブ |
マウントタイプ: | 表面マウント |
パッケージ: | トレー |
シリーズ: | SST39 MPFTM |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
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製品の状況: | アクティブ |
マウントタイプ: | 表面マウント |
パッケージ: | トューブ |
シリーズ: | SST39 MPFTM |
カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード ゼナー シングルゼナーダイオード |
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製品の状況: | アクティブ |
電流 - 逆流出 @ Vr: | 1 μA @ 20.6 V |
電圧 - ゼナー (Nom) (Vz): | 27V |
電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1.2V @ 200mA |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
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メモリサイズ: | 256Kbit |
製品の状況: | アクティブ |
マウントタイプ: | 表面マウント |
パッケージ: | トューブ |
カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード ゼナー シングルゼナーダイオード |
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製品の状況: | アクティブ |
電流 - 逆流出 @ Vr: | 1 μA @ 18.2 V |
電圧 - ゼナー (Nom) (Vz): | 24V |
電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1.2V @ 200mA |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
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メモリサイズ: | 256Kbit |
製品の状況: | アクティブ |
マウントタイプ: | 表面マウント |
パッケージ: | トューブ |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
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メモリサイズ: | 64Kbit |
製品の状況: | アクティブ |
マウントタイプ: | 穴を抜ける |
パッケージ: | トューブ |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
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メモリサイズ: | 16Kbit |
製品の状況: | アクティブ |
マウントタイプ: | 穴を抜ける |
パッケージ: | トューブ |
カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード ゼナー シングルゼナーダイオード |
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製品の状況: | アクティブ |
電流 - 逆流出 @ Vr: | 1 μA @ 15.2 V |
電圧 - ゼナー (Nom) (Vz): | 20V |
電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1.2V @ 200mA |
カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード ゼナー シングルゼナーダイオード |
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製品の状況: | アクティブ |
電流 - 逆流出 @ Vr: | 1 μA @ 13.7 V |
電圧 - ゼナー (Nom) (Vz): | 18V |
電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1.2V @ 200mA |