IC統合回路 SST25VF080B-50-4I-S2AE
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
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メモリサイズ: | 8Mbit |
製品の状況: | アクティブ |
マウントタイプ: | 表面マウント |
パッケージ: | トューブ |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
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メモリサイズ: | 8Mbit |
製品の状況: | アクティブ |
マウントタイプ: | 表面マウント |
パッケージ: | トューブ |
カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード ゼナー シングルゼナーダイオード |
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製品の状況: | アクティブ |
電流 - 逆流出 @ Vr: | 1 μA @ 42.6 V |
電圧 - ゼナー (Nom) (Vz): | 56V |
電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1.2V @ 200mA |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
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メモリサイズ: | 128Kbit |
製品の状況: | アクティブ |
マウントタイプ: | 表面マウント |
パッケージ: | トューブ |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
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メモリサイズ: | 128Kbit |
製品の状況: | アクティブ |
マウントタイプ: | 表面マウント |
パッケージ: | テープ&ロール (TR) 切断テープ (CT) Digi-Reel® |
カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード ゼナー シングルゼナーダイオード |
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製品の状況: | アクティブ |
電流 - 逆流出 @ Vr: | 1 μA @ 35.8 V |
電圧 - ゼナー (Nom) (Vz): | 47V |
電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1.2V @ 200mA |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
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メモリサイズ: | 4Mbit |
製品の状況: | アクティブ |
マウントタイプ: | 表面マウント |
パッケージ: | トューブ |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
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メモリサイズ: | 256Kbit |
製品の状況: | アクティブ |
マウントタイプ: | 表面マウント |
パッケージ: | トューブ |
カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード ゼナー シングルゼナーダイオード |
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製品の状況: | アクティブ |
電流 - 逆流出 @ Vr: | 1 μA @ 27.4 V |
電圧 - ゼナー (Nom) (Vz): | 36V |
電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1.2V @ 200mA |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
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メモリサイズ: | 256Kbit |
製品の状況: | アクティブ |
マウントタイプ: | 表面マウント |
パッケージ: | トューブ |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
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メモリサイズ: | 64Kbit |
製品の状況: | アクティブ |
マウントタイプ: | 表面マウント |
パッケージ: | トューブ |
カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード ゼナー シングルゼナーダイオード |
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製品の状況: | アクティブ |
電流 - 逆流出 @ Vr: | 1 μA @ 22.8 V |
電圧 - ゼナー (Nom) (Vz): | 30V |
電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1.2V @ 200mA |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
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メモリサイズ: | 256Kbit |
製品の状況: | アクティブ |
マウントタイプ: | 表面マウント |
パッケージ: | トューブ |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
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メモリサイズ: | 128Kbit |
製品の状況: | アクティブ |
マウントタイプ: | 表面マウント |
パッケージ: | トューブ |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
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メモリサイズ: | 64Kbit |
製品の状況: | アクティブ |
マウントタイプ: | 表面マウント |
パッケージ: | トューブ |
カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード ゼナー シングルゼナーダイオード |
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製品の状況: | アクティブ |
電流 - 逆流出 @ Vr: | 1 μA @ 16.7 V |
電圧 - ゼナー (Nom) (Vz): | 22V |
電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1.2V @ 200mA |