IC統合回路 2EZ180D5
| カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード ゼナー シングルゼナーダイオード |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| 現在-逆の漏出@ Vr: | 500 nA @ 136.8 V |
| 電圧- Zener （Nom） （Vz）: | 180ボルト |
| 前方電圧- （（最高） Vf） @: | 1.2V @ 200mA |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード ゼナー シングルゼナーダイオード |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| 現在-逆の漏出@ Vr: | 500 nA @ 136.8 V |
| 電圧- Zener （Nom） （Vz）: | 180ボルト |
| 前方電圧- （（最高） Vf） @: | 1.2V @ 200mA |
| カテゴリー: | 集積回路（IC） 埋め込まれる マイクロ制御回路 |
|---|---|
| パッケージ/ケース: | 64TQFP |
| I/O の数: | 52 |
| 動作温度: | -40°C~105°C (TA) |
| 電圧 - 供給 (Vcc/Vdd): | 1.62V | 3.6V |
| カテゴリー: | 集積回路（IC） 埋め込まれる マイクロ制御回路 |
|---|---|
| パッケージ/ケース: | 44-VQFNはパッドを露出した |
| I/O の数: | 36 |
| 動作温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 電圧 - 供給 (Vcc/Vdd): | 1.8V~3.6V |
| カテゴリー: | 集積回路（IC） 埋め込まれる マイクロ制御回路 |
|---|---|
| パッケージ/ケース: | 48-TQFP |
| I/O の数: | 43 |
| 動作温度: | -40℃～125℃（TA） |
| 電圧 - 供給 (Vcc/Vdd): | 1.8V~3.6V |
| カテゴリー: | 集積回路（IC） 埋め込まれる マイクロ制御回路 |
|---|---|
| パッケージ/ケース: | 32-VFQFN 露出パッド |
| I/O の数: | 26 |
| 動作温度: | -40°C~105°C (TA) |
| 電圧 - 供給 (Vcc/Vdd): | 1.62V | 3.6V |
| カテゴリー: | 集積回路（IC） 埋め込まれる マイクロ制御回路 |
|---|---|
| パッケージ/ケース: | 20DIP (0.300",7.62mm) |
| I/O の数: | 18 |
| 動作温度: | -40℃～125℃（TA） |
| 電圧 - 供給 (Vcc/Vdd): | 2.3V | 5.5V |
| カテゴリー: | 集積回路（IC） 埋め込まれる マイクロ制御回路 |
|---|---|
| パッケージ/ケース: | 20-SSOP (0.209",5.30mm 幅) |
| I/O の数: | 17 |
| 動作温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 電圧 - 供給 (Vcc/Vdd): | 2V | 5.5V |
| カテゴリー: | 集積回路（IC） 埋め込まれる マイクロ制御回路 |
|---|---|
| パッケージ/ケース: | 20-SSOP (0.209",5.30mm 幅) |
| I/O の数: | 12 |
| 動作温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 電圧 - 供給 (Vcc/Vdd): | 2.5V | 5.5V |
| カテゴリー: | 集積回路（IC） 埋め込まれる マイクロ制御回路 |
|---|---|
| パッケージ/ケース: | 32-VFQFN 露出パッド |
| I/O の数: | 26 |
| 動作温度: | -40°C~105°C (TA) |
| 電圧 - 供給 (Vcc/Vdd): | 2.7V | 5.5V |
| カテゴリー: | 集積回路（IC） 埋め込まれる マイクロ制御回路 |
|---|---|
| パッケージ/ケース: | 64-VFQFNはパッドを露出した |
| 動作温度: | -40℃～125℃（TA） |
| 電圧 - 供給 (Vcc/Vdd): | 3V~3.6V |
| プログラム可能なDigiKey: | 確認されていない |
| カテゴリー: | 集積回路（IC） 埋め込まれる マイクロ制御回路 |
|---|---|
| パッケージ/ケース: | 28-SSOP （0.209"、5.30mmの幅） |
| I/O の数: | 21 |
| 動作温度: | -40℃～125℃（TA） |
| 電圧 - 供給 (Vcc/Vdd): | 3V~3.6V |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード ゼナー シングルゼナーダイオード |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| 現在-逆の漏出@ Vr: | 2 μA @ 3 V |
| 電圧- Zener （Nom） （Vz）: | 6.2 V |
| マウントタイプ: | 穴を抜ける |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード ゼナー シングルゼナーダイオード |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| 現在-逆の漏出@ Vr: | 50 nA @ 12 V |
| 電圧- Zener （Nom） （Vz）: | 15ボルト |
| 前方電圧- （（最高） Vf） @: | 1.5V @ 1A |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード ゼナー シングルゼナーダイオード |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| 現在-逆の漏出@ Vr: | 2 μA @ 3 V |
| 電圧- Zener （Nom） （Vz）: | 5.89V |
| マウントタイプ: | 穴を抜ける |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード ゼナー シングルゼナーダイオード |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| 現在-逆の漏出@ Vr: | 7.5 μA @ 1 V |
| 電圧- Zener （Nom） （Vz）: | 1.8 V |
| 前方電圧- （（最高） Vf） @: | 1.1 V @ 200 mA |
