IC統合回路 APT42F50B
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | - |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 5V @ 1mA |
| 動作温度: | -55°C | 150°C （TJ） |
| パッケージ/ケース: | TO-247-3 |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | - |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 5V @ 1mA |
| 動作温度: | -55°C | 150°C （TJ） |
| パッケージ/ケース: | TO-247-3 |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | - |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 5V @ 1mA |
| 動作温度: | -55°C | 150°C （TJ） |
| パッケージ/ケース: | TO-247-3 |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | - |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 2.4V @ 1mA |
| 動作温度: | -55°C~175°C (TJ) |
| パッケージ/ケース: | TO-247-4 |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | - |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 2.4V @ 1mA |
| 動作温度: | -55°C~175°C (TJ) |
| パッケージ/ケース: | TO-247-3 |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | - |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | - |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | - |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 5V @ 1mA |
| 動作温度: | -55°C | 150°C （TJ） |
| パッケージ/ケース: | TO-247-3 |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | - |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 5V @ 1mA |
| 動作温度: | -55°C | 150°C （TJ） |
| パッケージ/ケース: | TO-268-3,D3Pak (2リード+タブ),TO-268AA |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | - |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 5V @ 1mA |
| 動作温度: | -55°C | 150°C （TJ） |
| パッケージ/ケース: | TO-247-3 |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | - |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 3.9V @ 680µA |
| 動作温度: | -55°C | 150°C （TJ） |
| パッケージ/ケース: | TO-247-3 |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | - |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 3.5V @ 1mA |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | - |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 穴を抜ける |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 1.6V @ 1mA |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | - |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 2.4V @ 1mA |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | 消耗モード |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 穴を抜ける |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | - |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | 消耗モード |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | - |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | 消耗モード |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | - |
