IC統合回路 TN0104N8-G
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | - |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 1.6V @ 500μA |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | - |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 1.6V @ 500μA |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | 消耗モード |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | - |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | 消耗モード |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | - |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | 消耗モード |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | - |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | 消耗モード |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | - |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | 消耗モード |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | - |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | - |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 5V @ 2.5mA |
| 動作温度: | -55°C | 150°C （TJ） |
| パッケージ/ケース: | SOT-227-4のminiBLOC |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | - |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 穴を抜ける |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 3.5V @ 10mA |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | - |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 2.5V@1mA |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | - |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 穴を抜ける |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 2V @ 500μA |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | 消耗モード |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | - |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | - |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 2V @ 1mA |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | - |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | - |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 2.8V @ 1mA |
| 動作温度: | -55°C~175°C (TJ) |
| パッケージ/ケース: | モジュール |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | - |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 2.7V @ 4.5mA (タイプ) |
| 動作温度: | -55°C~175°C (TJ) |
| パッケージ/ケース: | TO-247-3 |
