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商品の詳細:
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| 起源の場所: | 米国 |
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| ブランド名: | TI |
| モデル番号: | TPS51362RVER |
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お支払配送条件:
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| 最小注文数量: | 50pcs |
| 価格: | RFQ |
| パッケージの詳細: | ESD/Vacuum/Foam/Cartons |
| 受渡し時間: | すぐに |
| 支払条件: | T/T、ウェスタン・ユニオンの条件付捺印証書、Paypalの査証、MoneyGram |
| 供給の能力: | RFQ |
ICの集積回路TPS51362RVER VQFN-28の転換の電圧安定器
製品の説明:
TPS51362は速い過渡応答を可能にし、POSCAPおよびすべてのMLCCの出力コンデンサーを両方支えるDCAP-2™制御地勢学に基づいて高圧入力、統合されたFETが付いている同期変流機、である。チタニウム チタニウムの先端のパッケージの技術と結合される専有FETの技術はDDRのノートの記憶のためのVCCIOそしてVDDQのようなsingle-output力の柵に高密度解決、または広い適用のポイントの負荷（ポール）を提供する。 TPS51362の主要特点は低バイアス流れを（LP#によって可能になる低い電力モードの100 µA）可能にするULQ™モードである。この特徴はシステム待機モードの長い電池の寿命の間非常に有利である。 特徴セットは800kHzの転換の頻度を含んでいる。外的なコンデンサーとのプログラム可能なソフト開始の時間。自動スキップ、前バイアス開始、統合されたブートストラップ スイッチ、よい力は完全な続きのOCL、UVP、OVP、5-V UVLOおよび熱操業停止を含む欠陥の保護機構、可能になり。それは× 3.5 mmので4.5 mmの0.4 mmピッチ、28 -ピンQFN （RVE）包まれ、-10°Cから85°C.への指定される。
適用:
•ノート パソコン（VCCIO） •記憶柵（DDR VDDQ）
パラメータ テーブル:
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FAQ:
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