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商品の詳細:
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| 起源の場所: | アメリカ合衆国 |
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| ブランド名: | MICRON |
| モデル番号: | MT28EW512ABA1HPC-0SIT |
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お支払配送条件:
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| 最小注文数量: | 50PCS |
| 価格: | RFQ |
| パッケージの詳細: | ESD/Vacuum/Foam/Cartons |
| 受渡し時間: | すぐに |
| 支払条件: | T/T、ウェスタン・ユニオンの条件付捺印証書、Paypalの査証、MoneyGram |
| 供給の能力: | RFQ |
IC統合回路 MT28EW512ABA1HPC-0SIT LBGA-64 NORフラッシュ
製品説明:
このデバイスは,非同期,均質なブロック,並行 NOR Flash メモリーデバイスである. READ,ERASE,および PROGRAM 操作は,単一の低電圧供給を使用して実行される.電源アップ時に,電源は,電源を入力し,電源を入力する.デバイスは,配列モードを読み込むためにデフォルトメインメモリ配列は,単一ブロックに分けられ,独立して消去され,古いデータが消去される間に有効なデータが保存されます.PROGRAM と ERASE コマンドはメモリのコマンドインターフェースに書き込まれますチップ内プログラム/消去コントローラは,メモリコンテンツを更新するために必要なすべての特殊操作を処理することによって,メモリをプログラムまたは消去するプロセスを簡素化します.PROGRAM またはERASE 操作の終了が検知され,あらゆるエラー状態が特定できます装置を制御するために必要なコマンドセットは JEDEC 規格と一致します
特徴:
•単レベルセル (SLC) テクノロジー •密度:512Mb •電源電圧 〜VCC=2.7〜3.6V (プログラム,消去,読み込み) 〜VCCQ=1.65 - VCC (I/Oバッファー) •アシンクロンランダム/ページ読み込み 〜ページサイズ:ページへのアクセス: 20ns ランダムアクセス: 95ns (VCC = VCCQ = 2.7-3.6V) ランダムアクセス: 100ns (VCCQ = 1.65-VCC) • バッファープログラム (512語プログラムバッファー) 完全バッファープログラムを使用する場合2.0 MB/s (TYP)5 MB/s (TYP) 加速バッファプログラム (VHH) を使用する場合 • Word/Byte プログラム: 25us/word (TYP) • ブロック消去 (128KB): 0.2s (TYP) • メモリー組織 128KB or 64KW each – x8/x16 data bus • Program/erase suspend and resume capability – Read from another block during a PROGRAM SUSPEND operation – Read or program another block during an ERASE SUSPEND operation • Unlock bypass,ブロック消去,チップ消去,およびバッファに書き込みする機能
パラメータ表:
| 製品属性 | 属性値 |
| 製造者: | マイクロン技術 |
| 製品カテゴリー: | NORフラッシュ |
| RoHS について | はい |
| マウントスタイル: | SMD/SMT |
| パッケージ/ケース: | LBGA-64 |
| シリーズ: | MT28EW |
| メモリサイズ: | 512 Mbit |
| 供給電圧 - Min: | 2.7V |
| 供給電圧 - マックス: | 3.6V |
| ブランド: | マイクロン |
| 製品タイプ: | NORフラッシュ |
| 工場用 梱包量: | 1104 |
| サブカテゴリ: | メモリとデータ保存 |
FAQ:
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