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IC統合回路 LP0701N3-G

商品の詳細:
起源の場所: アメリカ合衆国
ブランド名: Microchip Technology
モデル番号: LP0701N3-G
お支払配送条件:
最小注文数量: 50PCS
価格: RFQ
パッケージの詳細: ESD/真空/泡/カートン
受渡し時間: すぐに
支払条件: T/T,ウェスタン・ユニオン,エスクロー,ペイパール,ビザ,マネーグラム
供給の能力: RFQ
仕様 製品の説明 見積依頼
仕様
仕様
カテゴリー: 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET
FETの特徴: -
製品の状況: アクティブ
マウントタイプ: 穴を抜ける
Vgs ((最高) Th) @ ID: 1V @ 1mA
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds: 250 pF @ 15 V
シリーズ: -
Vgs (最高): ±10V
パッケージ: バッグ
供給者のデバイスパッケージ: TO-92
(最高) @ ID、VgsのRds: 1.5Ohm @ 300mA, 5V
Mfr: マイクロチップ技術
動作温度: -55°C | 150°C (TJ)
FETのタイプ: P-Channel
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds): 2V,5V
電力損失(最高): 1W (Tc)
パッケージ/ケース: TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)
流出させなさいに源の電圧(Vdss): 16.5 V
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C: 500mA (Tj)
テクノロジー: MOSFET (金属酸化物)
基本製品番号: LP0701N3
製品の説明
Pチャネル 16.5 V 500mA (Tj) 1W (Tc) トー-92の穴を通る
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コンタクトパーソン : Mr. Jack
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