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IC統合回路 APT11N80BC3G

商品の詳細:
起源の場所: アメリカ合衆国
ブランド名: Microchip Technology
モデル番号: APT11N80BC3G
お支払配送条件:
最小注文数量: 50PCS
価格: RFQ
パッケージの詳細: ESD/真空/泡/カートン
受渡し時間: すぐに
支払条件: T/T,ウェスタン・ユニオン,エスクロー,ペイパール,ビザ,マネーグラム
供給の能力: RFQ
仕様 製品の説明 見積依頼
仕様
仕様
カテゴリー: 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET
FETの特徴: -
Vgs(th) (最大) @ Id: 3.9V @ 680µA
動作温度: -55°C | 150°C (TJ)
パッケージ/ケース: TO-247-3
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs: 10Vで60nC
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A、10V
FETタイプ: Nチャンネル
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン): 10V
パッケージ: トューブ
流出電圧から源電圧 (Vdss): 800V
Vgs (最大): ±20V
製品の状況: アクティブ
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds: 1585 pF @ 25 V
マウントタイプ: 穴を抜ける
シリーズ: -
供給者のデバイスパッケージ: TO-247 [B]
Mfr: マイクロチップ技術
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
電力損失(最高): 156W (Tc)
テクノロジー: MOSFET (金属酸化物)
基本製品番号: APT11N80
製品の説明
Nチャネル 800 V 11A (Tc) 156W (Tc) トー-247の穴を通る [B]
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コンタクトパーソン : Mr. Jack
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