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IC統合回路 APT24M80S

商品の詳細:
起源の場所: アメリカ合衆国
ブランド名: Microchip Technology
モデル番号: APT24M80S
お支払配送条件:
最小注文数量: 50PCS
価格: RFQ
パッケージの詳細: ESD/真空/泡/カートン
受渡し時間: すぐに
支払条件: T/T,ウェスタン・ユニオン,エスクロー,ペイパール,ビザ,マネーグラム
供給の能力: RFQ
仕様 製品の説明 見積依頼
仕様
仕様
カテゴリー: 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET
FETの特徴: -
Vgs(th) (最大) @ Id: 5V @ 1mA
動作温度: -55°C | 150°C (TJ)
パッケージ/ケース: TO-263-3のDの²朴(2つの鉛+タブ)、TO-263AB
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs: 150 NC @ 10ボルト
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 12A, 10V
FETタイプ: Nチャンネル
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン): 10V
パッケージ: 散装品
流出電圧から源電圧 (Vdss): 800V
Vgs (最大): ±30V
製品の状況: アクティブ
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds: 4595 pF @ 25V
マウントタイプ: 表面マウント
シリーズ: 力MOS 8™
供給者のデバイスパッケージ: D3PAK
Mfr: マイクロチップ技術
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
電力損失(最高): 625W (Tc)
テクノロジー: MOSFET (金属酸化物)
基本製品番号: APT24M80
製品の説明
Nチャンネル 800 V 25A (Tc) 625W (Tc) 表面マウント D3Pak
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コンタクトパーソン : Mr. Jack
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