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IC統合回路 APT58M50JU3

商品の詳細:
起源の場所: アメリカ合衆国
ブランド名: Microchip Technology
モデル番号: APT58M50JU3
お支払配送条件:
最小注文数量: 50PCS
価格: RFQ
パッケージの詳細: ESD/真空/泡/カートン
受渡し時間: すぐに
支払条件: T/T,ウェスタン・ユニオン,エスクロー,ペイパール,ビザ,マネーグラム
供給の能力: RFQ
仕様 製品の説明 見積依頼
仕様
仕様
カテゴリー: 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET
FETの特徴: -
Vgs(th) (最大) @ Id: 5V @ 2.5mA
動作温度: -40°C | 150°C (TJ)
パッケージ/ケース: SOT-227-4のminiBLOC
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs: 340 nC @ 10 V
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 42A, 10V
FETタイプ: Nチャンネル
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン): 10V
パッケージ: 散装品
流出電圧から源電圧 (Vdss): 500ボルト
Vgs (最大): ±30V
製品の状況: アクティブ
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds: 10800 pF @ 25 V
マウントタイプ: シャーシマウント
シリーズ: 力MOS 8™
供給者のデバイスパッケージ: SOT-227
Mfr: マイクロチップ技術
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
電力損失(最高): 543W (Tc)
テクノロジー: MOSFET (金属酸化物)
基本製品番号: APT58M50
製品の説明
Nチャネル 500 V 58A (Tc) 543W (Tc) シャーシマウント SOT-227
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コンタクトパーソン : Mr. Jack
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