IC統合回路 AT28HC256F-12DM/883
| カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 穴を抜ける |
| パッケージ: | トューブ |
| シリーズ: | - |
| カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 穴を抜ける |
| パッケージ: | トューブ |
| シリーズ: | - |
| カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| パッケージ: | トューブ |
| シリーズ: | - |
| カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 穴を抜ける |
| パッケージ: | トューブ |
| シリーズ: | - |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| 電流 - 逆流出 @ Vr: | 100 μA @ 1000V |
| マウントタイプ: | 穴を抜ける |
| 電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 3V @ 15A |
| カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| パッケージ: | トューブ |
| シリーズ: | - |
| カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 穴を抜ける |
| パッケージ: | トューブ |
| シリーズ: | - |
| カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| パッケージ: | トューブ |
| シリーズ: | - |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| 電流 - 逆流出 @ Vr: | 500 nA @ 400 V |
| マウントタイプ: | 穴を抜ける |
| 電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1.3V @ 3A |
| カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 穴を抜ける |
| パッケージ: | トューブ |
| シリーズ: | - |
| カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| パッケージ: | トューブ |
| シリーズ: | - |
| カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| パッケージ: | トューブ |
| シリーズ: | - |
| カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| パッケージ: | トューブ |
| シリーズ: | - |
| カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| パッケージ: | トューブ |
| シリーズ: | - |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| 電流 - 逆流出 @ Vr: | 100 μA @ 100 V |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| 電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 690 mV @ 1 A |
| カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| パッケージ: | トューブ |
| シリーズ: | - |
