IC統合回路 1N5929BPE3/TR8
| カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード ゼナー シングルゼナーダイオード |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| 電流 - 逆流出 @ Vr: | 1 μA @ 11.4 V |
| 電圧 - ゼナー (Nom) (Vz): | 15V |
| 電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1.2V @ 200mA |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード ゼナー シングルゼナーダイオード |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| 電流 - 逆流出 @ Vr: | 1 μA @ 11.4 V |
| 電圧 - ゼナー (Nom) (Vz): | 15V |
| 電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1.2V @ 200mA |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード ゼナー シングルゼナーダイオード |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| 電流 - 逆流出 @ Vr: | 1 μA @ 114 V |
| 電圧 - ゼナー (Nom) (Vz): | 150V |
| 電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1.2V @ 200mA |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード ゼナー シングルゼナーダイオード |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| 電流 - 逆流出 @ Vr: | 1 μA @ 98.8V |
| 電圧 - ゼナー (Nom) (Vz): | 130V |
| 電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1.2V @ 200mA |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード ゼナー シングルゼナーダイオード |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| 電流 - 逆流出 @ Vr: | 5 μA @ 8 V |
| 電圧 - ゼナー (Nom) (Vz): | 10V |
| 電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1.2V @ 200mA |
| カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| パッケージ: | テープ&ロール (TR) 切断テープ (CT) Digi-Reel® |
| シリーズ: | - |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード ゼナー シングルゼナーダイオード |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| 電流 - 逆流出 @ Vr: | 1 μA @ 91.2 V |
| 電圧 - ゼナー (Nom) (Vz): | 120ボルト |
| 電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1.2V @ 200mA |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード ゼナー シングルゼナーダイオード |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| 電流 - 逆流出 @ Vr: | 5 μA @ 5.2 V |
| 電圧 - ゼナー (Nom) (Vz): | 6.8V |
| 電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1.2V @ 200mA |
| カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
|---|---|
| メモリサイズ: | 16Kbit |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| パッケージ: | トューブ |
| カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
|---|---|
| メモリサイズ: | 256Kbit |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| パッケージ: | テープ&ロール (TR) |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード ゼナー シングルゼナーダイオード |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| 電流 - 逆流出 @ Vr: | 5 μA @ 51.7 V |
| 電圧 - ゼナー (Nom) (Vz): | 68V |
| 電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1.2V @ 200mA |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード ゼナー シングルゼナーダイオード |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| 電流 - 逆流出 @ Vr: | 1 μA @ 76 V |
| 電圧 - ゼナー (Nom) (Vz): | 100V |
| 電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1.2V @ 200mA |
