IC統合回路 1N823A
| カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード ゼナー シングルゼナーダイオード |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| 電流 - 逆流出 @ Vr: | 2 μA @ 3 V |
| 電圧 - ゼナー (Nom) (Vz): | 6.2V |
| マウントタイプ: | 穴を抜ける |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード ゼナー シングルゼナーダイオード |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| 電流 - 逆流出 @ Vr: | 2 μA @ 3 V |
| 電圧 - ゼナー (Nom) (Vz): | 6.2V |
| マウントタイプ: | 穴を抜ける |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード ゼナー シングルゼナーダイオード |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| 現在-逆の漏出@ Vr: | 10 μA @ 22.8 V |
| 電圧- Zener （Nom） （Vz）: | 30ボルト |
| 前方電圧- （（最高） Vf） @: | 1.5V @ 2A |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード ゼナー シングルゼナーダイオード |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| 現在-逆の漏出@ Vr: | 5 μA @ 4.08 V |
| 電圧 - ゼナー (Nom) (Vz): | 6.8V |
| 電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1.5V @ 1A |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード ゼナー シングルゼナーダイオード |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| 現在-逆の漏出@ Vr: | 3.5 μA @ 1 V |
| 電圧- Zener （Nom） （Vz）: | 1.8 V |
| 前方電圧- （（最高） Vf） @: | 1.1 V @ 200 mA |
| カテゴリー: | 集積回路 (IC) 埋め込み マイクロコントローラー |
|---|---|
| パッケージ/ケース: | 48-VFQFN 露出パッド |
| I/O の数: | 38 |
| 動作温度: | -40°C~105°C (TA) |
| 電圧 - 供給 (Vcc/Vdd): | 2.7V | 5.5V |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード ゼナー シングルゼナーダイオード |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| 現在-逆の漏出@ Vr: | 50 nA @ 31.2 V |
| 電圧- Zener （Nom） （Vz）: | 39ボルト |
| 前方電圧- （（最高） Vf） @: | 1.5V @ 1A |
| カテゴリー: | 集積回路（IC） 埋め込まれる マイクロ制御回路 |
|---|---|
| パッケージ/ケース: | 64-VFQFNはパッドを露出した |
| I/O の数: | 52 |
| 動作温度: | -40°C~105°C (TA) |
| 電圧 - 供給 (Vcc/Vdd): | 1.62V | 3.6V |
| カテゴリー: | 集積回路（IC） 埋め込まれる マイクロ制御回路 |
|---|---|
| パッケージ/ケース: | 44-VQFNはパッドを露出した |
| I/O の数: | 35 |
| 動作温度: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| 電圧 - 供給 (Vcc/Vdd): | 3V~3.6V |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード ゼナー シングルゼナーダイオード |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| 電流 - 逆流出 @ Vr: | 2 μA @ 32.7 V |
| 電圧 - ゼナー (Nom) (Vz): | 43V |
| 前方電圧- （（最高） Vf） @: | 1.5V @ 1A |
| カテゴリー: | 集積回路（IC） 埋め込まれる マイクロ制御回路 |
|---|---|
| パッケージ/ケース: | 18-SOIC (0.295インチ、幅7.50mm) |
| I/O の数: | 13 |
| 動作温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 電圧 - 供給 (Vcc/Vdd): | 3V~3.6V |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード ゼナー シングルゼナーダイオード |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| 現在-逆の漏出@ Vr: | 8 μA @ 9.1 V |
| 電圧- Zener （Nom） （Vz）: | 10ボルト |
| 前方電圧- （（最高） Vf） @: | 1.1 V @ 200 mA |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード ゼナー シングルゼナーダイオード |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| 現在-逆の漏出@ Vr: | 2 μA @ 3 V |
| 電圧- Zener （Nom） （Vz）: | 5.9 V |
| マウントタイプ: | 穴を抜ける |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード ゼナー シングルゼナーダイオード |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| 現在-逆の漏出@ Vr: | 500 nA @ 36 V |
| 電圧- Zener （Nom） （Vz）: | 47ボルト |
| 前方電圧- （（最高） Vf） @: | 1.1 V @ 200 mA |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード ゼナー シングルゼナーダイオード |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| 現在-逆の漏出@ Vr: | 50 nA @ 23.1 V |
| 電圧- Zener （Nom） （Vz）: | 33ボルト |
| 前方電圧- （（最高） Vf） @: | 1.1 V @ 200 mA |
| カテゴリー: | 集積回路（IC） 埋め込まれる マイクロ制御回路 |
|---|---|
| パッケージ/ケース: | 32-TQFP |
| I/O の数: | 26 |
| 動作温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 電圧 - 供給 (Vcc/Vdd): | 2.7V | 5.5V |
