IC統合回路 1N4969
| カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード ゼナー シングルゼナーダイオード |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| 現在-逆の漏出@ Vr: | 2 μA @ 22.8 V |
| 電圧- Zener （Nom） （Vz）: | 30ボルト |
| 前方電圧- （（最高） Vf） @: | 1.5V @ 1A |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード ゼナー シングルゼナーダイオード |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| 現在-逆の漏出@ Vr: | 2 μA @ 22.8 V |
| 電圧- Zener （Nom） （Vz）: | 30ボルト |
| 前方電圧- （（最高） Vf） @: | 1.5V @ 1A |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード ゼナー シングルゼナーダイオード |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| 現在-逆の漏出@ Vr: | 100 nA @ 11 V |
| 電圧- Zener （Nom） （Vz）: | 15ボルト |
| 前方電圧- （（最高） Vf） @: | 1.1 V @ 200 mA |
| カテゴリー: | 集積回路 (IC) 埋め込み マイクロコントローラー |
|---|---|
| パッケージ/ケース: | 44-TQFP |
| I/O の数: | 36 |
| 動作温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 電圧 - 供給 (Vcc/Vdd): | 1.8V~3.6V |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード ゼナー シングルゼナーダイオード |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| 電流 - 逆流出 @ Vr: | 50 nA @ 11.4 V |
| 電圧- Zener （Nom） （Vz）: | 15ボルト |
| 前方電圧- （（最高） Vf） @: | 1.1 V @ 200 mA |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード ゼナー シングルゼナーダイオード |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| 電流 - 逆流出 @ Vr: | 1 μA @ 9.1 V |
| 電圧- Zener （Nom） （Vz）: | 12ボルト |
| 前方電圧- （（最高） Vf） @: | 1.5V @ 200mA |
| カテゴリー: | 集積回路（IC） 埋め込まれる マイクロ制御回路 |
|---|---|
| パッケージ/ケース: | 40-DIP （0.600"、15.24mm） |
| I/O の数: | 36 |
| 動作温度: | -40℃～125℃（TA） |
| 電圧 - 供給 (Vcc/Vdd): | 2.3V | 5.5V |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード ゼナー シングルゼナーダイオード |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| 現在-逆の漏出@ Vr: | 5 μA @ 11.4 V |
| 電圧- Zener （Nom） （Vz）: | 15ボルト |
| 前方電圧- （（最高） Vf） @: | 1.2V @ 200mA |
| カテゴリー: | 集積回路（IC） 埋め込まれる マイクロ制御回路 |
|---|---|
| パッケージ/ケース: | 20-WFQFN 露出パッド |
| I/O の数: | 12 |
| 動作温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 電圧 - 供給 (Vcc/Vdd): | 1.8V~5.5V |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード ゼナー シングルゼナーダイオード |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| 現在-逆の漏出@ Vr: | 500 nA @ 11 V |
| 電圧- Zener （Nom） （Vz）: | 15ボルト |
| 前方電圧- （（最高） Vf） @: | 1.1 V @ 200 mA |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード ゼナー シングルゼナーダイオード |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| 現在-逆の漏出@ Vr: | 5 μA @ 2.5 V |
| 電圧- Zener （Nom） （Vz）: | 5.6 V |
| 前方電圧- （（最高） Vf） @: | 1.1 V @ 200 mA |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード ゼナー シングルゼナーダイオード |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| 現在-逆の漏出@ Vr: | 1 μA @ 9.1 V |
| 電圧- Zener （Nom） （Vz）: | 12ボルト |
| 前方電圧- （（最高） Vf） @: | 1.1 V @ 200 mA |
| カテゴリー: | 集積回路（IC） 埋め込まれる マイクロ制御回路 |
|---|---|
| パッケージ/ケース: | 8-SOIC （0.209"、5.30mmの幅） |
| I/O の数: | 5 |
| 動作温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 電圧 - 供給 (Vcc/Vdd): | 2.5V | 5.5V |
| カテゴリー: | 集積回路（IC） 埋め込まれる マイクロ制御回路 |
|---|---|
| パッケージ/ケース: | 14-DIP (0.300インチ、7.62mm) |
| I/O の数: | 8 |
| 動作温度: | -40℃～125℃（TA） |
| 電圧 - 供給 (Vcc/Vdd): | 1.8V~3.6V |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード ゼナー シングルゼナーダイオード |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| 現在-逆の漏出@ Vr: | 3 μA @ 1 V |
| 電圧 - ゼナー (Nom) (Vz): | 3.6 V |
| 前方電圧- （（最高） Vf） @: | 1.1 V @ 200 mA |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード ゼナー シングルゼナーダイオード |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| 現在-逆の漏出@ Vr: | 500 nA @ 25 V |
| 電圧- Zener （Nom） （Vz）: | 33ボルト |
| 前方電圧- （（最高） Vf） @: | 1.1 V @ 200 mA |
