IC統合回路 VRF152GMP
カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET RF FET,MOSFET |
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製品の状況: | アクティブ |
パッケージ: | 散装品 |
シリーズ: | - |
Mfr: | マイクロチップ技術 |
カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET RF FET,MOSFET |
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製品の状況: | アクティブ |
パッケージ: | 散装品 |
シリーズ: | - |
Mfr: | マイクロチップ技術 |
カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET RF FET,MOSFET |
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製品の状況: | アクティブ |
構成: | N-Channel |
評価される電圧-: | 170ボルト |
パッケージ: | 散装品 |
カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET RF FET,MOSFET |
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製品の状況: | アクティブ |
構成: | N-Channel |
定数電圧: | 1200V |
パッケージ: | 散装品 |
カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET RF FET,MOSFET |
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製品の状況: | アクティブ |
構成: | N-Channel |
定数電圧: | 170V |
パッケージ: | 散装品 |
カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET RF FET,MOSFET |
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製品の状況: | アクティブ |
構成: | 2つのN-Channelの(二重)共通のソース |
定数電圧: | 500ボルト |
パッケージ: | トレー |
カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET RF FET,MOSFET |
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製品の状況: | アクティブ |
構成: | Nチャンネル |
評価される電圧-: | 500ボルト |
パッケージ: | 散装品 |
カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET RF FET,MOSFET |
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製品の状況: | アクティブ |
構成: | N-Channel |
評価される電圧-: | 170ボルト |
パッケージ: | 散装品 |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 埋め込み CPLD (複雑なプログラム可能な論理装置) |
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マクロセル数: | 128 |
製品の状況: | 時代遅れ |
Digi-Key プログラム可能: | 確認されていない |
マウントタイプ: | 表面マウント |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 埋め込み CPLD (複雑なプログラム可能な論理装置) |
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マクロセル数: | 32 |
製品の状況: | アクティブ |
Digi-Key プログラム可能: | 確認済み |
マウントタイプ: | 表面マウント |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 埋め込み CPLD (複雑なプログラム可能な論理装置) |
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マクロセル数: | 24 |
製品の状況: | 時代遅れ |
Digi-Key プログラム可能: | 確認されていない |
マウントタイプ: | 表面マウント |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 埋め込み CPLD (複雑なプログラム可能な論理装置) |
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マクロセル数: | 32 |
製品の状況: | 時代遅れ |
Digi-Key プログラム可能: | 確認されていない |
マウントタイプ: | 表面マウント |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 埋め込み CPLD (複雑なプログラム可能な論理装置) |
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マクロセル数: | 32 |
製品の状況: | 時代遅れ |
Digi-Key プログラム可能: | 確認されていない |
マウントタイプ: | 表面マウント |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 埋め込み CPLD (複雑なプログラム可能な論理装置) |
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マクロセル数: | 128 |
製品の状況: | 時代遅れ |
Digi-Key プログラム可能: | 確認済み |
マウントタイプ: | 表面マウント |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 埋め込み CPLD (複雑なプログラム可能な論理装置) |
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マクロセル数: | 10 |
製品の状況: | 時代遅れ |
Digi-Key プログラム可能: | 確認されていない |
マウントタイプ: | 表面マウント |