IC統合回路 APT8052BLLG
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETタイプ: | Nチャンネル |
| FETの特徴: | - |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 穴を抜ける |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETタイプ: | Nチャンネル |
| FETの特徴: | - |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 穴を抜ける |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | - |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 5V @ 1mA |
| 動作温度: | -55°C | 150°C （TJ） |
| パッケージ/ケース: | TO-268-3,D3Pak (2リード+タブ),TO-268AA |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETタイプ: | Nチャンネル |
| FETの特徴: | - |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 穴を抜ける |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETタイプ: | Nチャンネル |
| FETの特徴: | - |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | - |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 5V @ 2.5mA |
| 動作温度: | -55°C | 150°C （TJ） |
| パッケージ/ケース: | TO-264-3, TO-264AA について |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETタイプ: | Nチャンネル |
| FETの特徴: | - |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | - |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 5V @ 2.5mA |
| 動作温度: | -55°C | 150°C （TJ） |
| パッケージ/ケース: | TO-247-3 バリアント |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | - |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 5V @ 2.5mA |
| 動作温度: | -55°C | 150°C （TJ） |
| パッケージ/ケース: | TO-264-3, TO-264AA について |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETタイプ: | Nチャンネル |
| FETの特徴: | - |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 穴を抜ける |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | - |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 5V @ 2.5mA |
| 動作温度: | -55°C | 150°C （TJ） |
| パッケージ/ケース: | TO-264-3, TO-264AA について |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | - |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 5V @ 1mA |
| 動作温度: | -55°C | 150°C （TJ） |
| パッケージ/ケース: | TO-268-3,D3Pak (2リード+タブ),TO-268AA |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | - |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 4V @ 1mA |
| 動作温度: | -55°C | 150°C （TJ） |
| パッケージ/ケース: | TO-263-3のDの²朴（2つの鉛+タブ）、TO-263AB |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | - |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 5V @ 1mA |
| 動作温度: | -55°C | 150°C （TJ） |
| パッケージ/ケース: | TO-268-3,D3Pak (2リード+タブ),TO-268AA |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETタイプ: | Nチャンネル |
| FETの特徴: | - |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 穴を抜ける |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | - |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 5V @ 2.5mA |
| 動作温度: | -55°C | 150°C （TJ） |
| パッケージ/ケース: | TO-264-3, TO-264AA について |
