メモリ統合回路 MT46H64M16LFBF-5 AAT:B
テクノロジー: | SDRAM -移動式LPDDR |
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製品カテゴリー:: | メモリIC |
メモリタイプ:: | 揮発 |
工場のストック:: | 0 |
サイクルの時間 - Word,ページを書き:: | 15ns |
テクノロジー: | SDRAM -移動式LPDDR |
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製品カテゴリー:: | メモリIC |
メモリタイプ:: | 揮発 |
工場のストック:: | 0 |
サイクルの時間 - Word,ページを書き:: | 15ns |
テクノロジー: | フラッシュ- |
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製品カテゴリー:: | メモリIC |
メモリタイプ:: | 不揮発性 |
工場のストック:: | 0 |
サイクルの時間 - Word,ページを書き:: | 55ns |
テクノロジー: | SDRAM |
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製品カテゴリー:: | メモリIC |
メモリタイプ:: | 揮発 |
工場のストック:: | 0 |
サイクルの時間 - Word,ページを書き:: | 14ns |
テクノロジー: | フラッシュ- |
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製品カテゴリー:: | メモリIC |
メモリタイプ:: | 不揮発性 |
工場のストック:: | 0 |
サイクルの時間 - Word,ページを書き:: | 110ns |
テクノロジー: | SGRAM - GDDR5 |
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製品カテゴリー:: | メモリIC |
メモリタイプ:: | 揮発 |
工場のストック:: | 0 |
サイクルの時間 - Word,ページを書き:: | - |
テクノロジー: | フラッシュ- |
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製品カテゴリー:: | メモリIC |
メモリタイプ:: | 不揮発性 |
工場のストック:: | 0 |
サイクルの時間 - Word,ページを書き:: | 110ns |
テクノロジー: | SDRAM - モバイルLPDDR3 |
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製品カテゴリー:: | メモリIC |
メモリタイプ:: | 揮発 |
工場のストック:: | 0 |
サイクルの時間 - Word,ページを書き:: | - |
テクノロジー: | フラッシュ- |
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製品カテゴリー:: | メモリIC |
メモリタイプ:: | 不揮発性 |
工場のストック:: | 0 |
サイクルの時間 - Word,ページを書き:: | 100ns |
テクノロジー: | SDRAM - モバイルLPDDR3 |
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製品カテゴリー:: | メモリIC |
メモリタイプ:: | 揮発 |
工場のストック:: | 0 |
サイクルの時間 - Word,ページを書き:: | - |
テクノロジー: | フラッシュ- |
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製品カテゴリー:: | メモリIC |
メモリタイプ:: | 不揮発性 |
工場のストック:: | 0 |
サイクルの時間 - Word,ページを書き:: | 95ns |
テクノロジー: | SDRAM -移動式LPDDR4 |
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製品カテゴリー:: | メモリIC |
メモリタイプ:: | 揮発 |
工場のストック:: | 0 |
サイクルの時間 - Word,ページを書き:: | - |
テクノロジー: | フラッシュ- |
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製品カテゴリー:: | メモリIC |
メモリタイプ:: | 不揮発性 |
工場のストック:: | 0 |
サイクルの時間 - Word,ページを書き:: | 105ns |
テクノロジー: | SDRAM -移動式LPDDR4 |
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製品カテゴリー:: | メモリIC |
メモリタイプ:: | 揮発 |
工場のストック:: | 0 |
サイクルの時間 - Word,ページを書き:: | - |
テクノロジー: | フラッシュ- |
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製品カテゴリー:: | メモリIC |
メモリタイプ:: | 不揮発性 |
工場のストック:: | 0 |
サイクルの時間 - Word,ページを書き:: | 110ns |
テクノロジー: | フラッシュ- |
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製品カテゴリー:: | メモリIC |
メモリタイプ:: | 不揮発性 |
工場のストック:: | 0 |
サイクルの時間 - Word,ページを書き:: | 100ns |